出版時間:2011-4 出版社:科學 作者:吳紅奎 頁數(shù):284
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內容概要
本書是“實用電子技術叢書”之一,從實踐和一般應用的角度全面介紹了場效應管(FET)。重點介紹了市場上的主流品種——VMOS的應用知識。考慮到本書是針對功率電子領域的入門者與實踐者,因此盡量避免介紹很深的理論知識而側重于應用,同時側重了知識面的“廣度”方面的介紹,試圖達到“拋磚引玉”的目的。
本書內容包括認識FET、實踐入門、VMOS的技術參數(shù)詳解、JFET(結型FET)的技術參數(shù)概述,基本電路、范例電路等幾部分。作者根據(jù)自己的從業(yè)經驗,從實踐出發(fā),試圖從應用的角度告訴?者,撇開芯片級的FET制造、設計理論,F(xiàn)ET用起來并不難。
本書對于電子愛好者、即將就業(yè)的電子專業(yè)大學生有啟發(fā)性作用,對剛剛從事電器、電工、電子電路硬件設計的工程師亦有參考價值,也適合工科院校的非電專業(yè)作為基礎專業(yè)教材。
書籍目錄
第1章 認識場效應管
1.1 身邊的場效應管
1.1.1 從麥克風說起
1.1.2 打開一塊手機的鋰電池
1.1.3 運算放大器
1.2 場效應管是如何工作的
1.2.1 N型、P型半導體與N+型、P-型半導體
1.2.2 FET是如何工作的:N溝道、P溝道
1.2.3 場效應管的簡單分類:JFET與MOSFET
1.2.4 JFET是如何工作的
1.2.5 MOSFET是如何工作的
1.3 場效應管的種類
1.3.1 TMOS、VMOS
1.3.2 DMOS、πMOS
1.3.3 VDMOS(VMOS)、UMOS(UDMOS、UVDMOS)
1.3.4 LDMOS
1.3.5 HEXMOS與管芯結構
1.3.6 耗盡型MOSFET
1.3.7 VFET、V-FET與SIT
1.3.8 MESFET
1.3.9 HFET、HEMT、HHMT
1.3.10 DGMOSFET、FinFET、PSDG MOSFET
1.3.11 TFT
1.3.12 制造商的專利名稱
1.3.13 MOS的集成:CMOS、BiCMOS/BiMOS、HV-CMOS
1.3.14 FET發(fā)展簡史
1.4 場效應管的個性
1.5 電路中的FET
1.6 場效應管模塊
1.6.1 模塊的優(yōu)勢
1.6.2 模塊的基本結構和一般特征
1.6.3 模塊的常見種類:Module、IPM、PIM
1.6.4 MCM、SIP/SOP
1.6.5 板級封裝
1.7 場效應管的發(fā)展近況
1.7.1 小型化封裝
1.7.2 低功耗趨勢
1.7.3 低電壓規(guī)格趨勢
第2章 實踐初步
2.1 認識電路中的VMOS
2.2 用萬用表簡單判別FET
2.2.1 一般原則與適用范圍
2.2.2 根據(jù)外形和型號判別FET的類型和主要技術規(guī)格
2.2.3 用萬用表判別VMOS的引腳和好壞
2.2.4 用萬用表判別JFET的引腳
2.3 花10元錢做兩個FET的簡單實驗
2.3.1 VMOS實驗:工頻同步整流電路
2.3.2 JFET實驗:甲類耳放
2.4 為避免在電路實驗中炸管準備一些簡單的工具
2.4.1 用接觸式調壓器構建實驗電源
2.4.2?為驅動電路和控制電路準備單獨的直流電源
2.4.3 電爐絲,方便易用的假負載與小阻值的大功率電阻
第3章 VMOS的技術參數(shù)
3.1 極限參數(shù):VDDS、ID、PD、SOA、TA
3.1.1 電壓規(guī)格:VDDS、VDS、BVDDS、V(BR)DSS
3.1.2 電流規(guī)格:ID及其IDP、IDM
3.1.3 溫度參數(shù):TJ、TC、TA、Tch、TSTG、TL
3.1.4 功率規(guī)格:PD、Ptot、IDR、IS
3.1.5 SOA
3.1.6 SOA的實際意義
3.1.7 EA、EAR、EAS、IAR、dV/dt
3.1.8 極限參數(shù)的一般應用:降額因素
3.2 熱傳導參數(shù):RθJC、RθCS、RθJA、RθJCD、RθCA
3.2.1 定義
3.2.2 熱歐姆定律
3.3 電參數(shù)
3.3.1 通態(tài)電阻:RDS(ON)
3.3.2 跨導:gfs、|Yfs|、gm
3.3.3 結電容Cgd、Cgs、Cds與分布參數(shù)Ciss、Crss、Coss
3.3.4 開關參數(shù)ton、td(on)、tr、toff、td(off)、tf
3.3.5 柵電荷Qg、Qgs、Qgd
3.3.6 體二極管的技術參數(shù)VSD、IS、trr、Qrr、ISM、IRRM
3.3.7 技術手冊中的其他電參數(shù)
第4章 JFET的技術參數(shù)
4.1 小功率JFET的技術參數(shù)
4.1.1 小功率JFET
4.1.2 小功率JFET技術參數(shù)概覽
4.1.3 小功率JFET部分技術參數(shù)概述
4.2 功率JFET的技術參數(shù)
4.2.1 用于射頻功率放大的功率JFET
4.2.2 VFET的技術參數(shù)
第5章 基本電路
5.1 場效應管放大器的仿真模型
5.2 電壓放大器的分類
5.3 功率放大器與工作點
5.3.1 A類、AB類、D類、C類及其他
5.3.2 晶體管的工作點
5.3.3 基本電路形式
5.4 電路拓撲的基本類型
5.4.1 全橋(H橋)
5.4.2 半橋
5.4.3 無處不在的推挽
5.4.4 Totem-Pole(圖騰柱),橋接
5.4.5 單管
5.4.6 三相橋
5.5 模塊內部的等效電路
5.6 開關電源的常見類型
5.6.1 開關電源的一般分類
5.6.2 電感式開關電源的一般原理
5.6.3 電感的工作模式:CCM與DCM
5.6.4 AC-DC與DC-DC開關電源
5.6.5 Charge Pump(電荷泵)
5.7 隔離型DC-DC開關電源的常見電路拓撲
5.7.1 Forward(正激)拓撲
5.7.2 Flyback(反激)拓撲,RCC
5.7.3 Half Bridge(半橋)拓撲,LLC(HB-LLC)
5.7.4 Push-Pull(推挽)拓撲,Royer
5.7.5 Full Bridge(全橋)拓撲
5.7.6 Dual Switch Forward(雙管正激)拓撲
5.7.7 Active Clamp(有源鉗位)拓撲
5.8 隔離型開關電源中的變壓器
5.8.1 變壓器的一般分析方法——磁路
5.8.2 理想的變壓器
5.8.3 實際的變壓器,勵磁電感
5.8.4 實際變壓器的漏感
5.8.5 實際變壓器的功耗
5.9?非隔離型DC-DC開關電源的常見電路拓撲
5.9.1 Boost(升壓)拓撲
5.9.2 Buck(降壓),斬波
5.9.3 Buck-boost(升-降壓)拓撲
5.9.4 Cuk(丘克)、Cuk
5.9.5 SEPIC
5.9.6 Zeta
5.9.7 Sync Buck(同步降壓)拓撲,同步整流
5.9.8 Multi-Phase Sync Buck(多相同步降壓)拓撲
5.9.9 Split-Pi(Boost-Buck)
5.10 軟開關
5.10.1 軟開關
5.10.2 突波吸收
5.10.3 突波的抑制方法
5.10.4 突波吸收電?
5.11 多電平變換
5.11.1 多電平變換的常見拓撲類型
5.11.2 多電平變換拓撲的基本構成與特點
5.11.3 多電平變換拓撲的基本驅動方法
5.12 VMOS的驅動
5.12.1 VMOS的開通與關斷
5.12.2 直接驅動VMOS
5.12.3 不隔離的高邊驅動
5.12.4 柵極驅動的優(yōu)化
5.12.5 柵極的隔離驅動
5.12.6 集成化的柵極驅動器件
5.13 VMOS的串聯(lián)與并聯(lián)
5.13.1 VMOS的并聯(lián)
5.13.2 VMOS的串聯(lián)
第6章 范例?路
6.1 基于雙柵極MOSFET的廣播調諧器高頻頭
6.1.1 簡介
6.1.2 CT-7000的高頻頭電路
6.2 給大功率D類功放供電的開關電源
6.2.1 簡介
6.2.2 電路架構
6.2.3 主開關電源的AC-DC部分
6.2.4 主開關電源的DC-DC部分
6.2.5 副開關電源
6.3 全分立元件的UCD大功率D類功放
6.3.1 UCD功放電路
6.3.2 原理概述
6.3.3 電路工作條件與元器件的選擇
6.4 CCFL背光電源
6.4.1 LCD、CCFL、LCD顯示面板、CCFL逆變電源
6.4.2 19英寸LCD顯示面板的CCFL逆變電源
6.4.3 輸入輸出特性,燈管決定逆變電源的基本技術規(guī)格
6.4.4 FAN7311
6.4.5 FAN7311的主要工作參數(shù)
6.4.6 觸發(fā)調光與線性調光
6.4.7 燈管的保護
6.4.8 諧振
6.5 電動自行車充電器
6.5.1 電路原理
6.5.2 UC3842
6.5.3 功率開關管STP9NK90Z
6.5.4 二極管
附錄1 縮略語
附錄2 VMOS技術參數(shù)符號簡表
附錄3 常見電荷泵IC
參考文獻
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