功率半導(dǎo)體

內(nèi)容概要

功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。本書(shū)基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專(zhuān)家，作者還給出了上述各類(lèi)器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)?！　”緯?shū)既可以作為電氣工程專(zhuān)業(yè)、自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書(shū)，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

斯提萬(wàn)，林德工965年出生于瑞士日內(nèi)瓦，1990年在瑞士聯(lián)邦工學(xué)院（EHT）完成了電氣工程的本科教育。他在美國(guó)工作一段時(shí)間后，于1991年回到瑞士蘇黎世，在聯(lián)邦工學(xué)院開(kāi)始作為研究生從事的研究工作。他在1996年獲得博士學(xué)位后不久，加入YABB公司，成為功率半導(dǎo)體事業(yè)部的研發(fā)工

書(shū)籍目錄

譯者序原書(shū)前言第1章　半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)　1.1　硅的結(jié)構(gòu)和特性　1.2　電荷遷移　1.3　載流子注入　1.4　電荷載流子的激發(fā)和復(fù)合　1.5　連續(xù)性方程　1.6　泊松方程　1.7　強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)第2章　pn結(jié)　2.1　pn結(jié)的內(nèi)建電壓　2.2　耗盡層（空間電荷區(qū)）　2.3　pn結(jié)的伏安特性　2.4　射極效率　2.5　實(shí)際的pn結(jié)第3章　pin二極管　3.1　高壓二極管的基本結(jié)構(gòu)　3.2　pin二極管的導(dǎo)通狀態(tài)　3.3　pin二極管的動(dòng)態(tài)工況　3.4　二極管反向恢復(fù)的瞬變過(guò)程　3.5　二極管工作條件的限制　3.6　現(xiàn)代pin二極管的設(shè)計(jì)第4章　雙極型晶體管　4.1　雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)　4.2　雙極型晶體管的電流增益　4.3　雙極型晶體管的電流擊穿　4.4　正向?qū)▔航怠?.5　基極推出（“柯克”效應(yīng)）　4.6　二次擊穿第5章　晶閘管　5.1　晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理　5.2　觸發(fā)條件　5.3　靜態(tài)伏安特性　5.4　正向阻斷模式和亞穩(wěn)態(tài)區(qū)域　5.5　晶閘管擎住狀態(tài)　5.6　反向阻斷狀態(tài)下的晶閘管　5.7　開(kāi)通特性　5.8　關(guān)斷特性第6章　門(mén)極關(guān)斷（GTO）晶閘管與門(mén)極換流晶閘管（GCT）/集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）　6.1　GTO晶閘管　6.2　GCT第7章　功率MOSFET　7.1　場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本理論　7.2　場(chǎng)效應(yīng)晶體管的I（V）特性　7.3　功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)　7.4　功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性　7.5　雪崩效應(yīng)　7.6　源極-漏極二極管（體二極管）第8章　IGBT　8.1　IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理　8.2　IGBT的I（V）特性　8.3　IGBT的開(kāi)關(guān)特性　8.4　短路特性　8.5　IGBT的強(qiáng)度　8.6　IGBT損耗的折衷方案附錄　附錄A　符號(hào)表　附錄B　常數(shù)　附錄C　單位　附錄D　單位詞頭（十進(jìn)倍數(shù)和分?jǐn)?shù)單位詞頭）　附錄E　書(shū)寫(xiě)約定　附錄F　電氣工程中的電路圖形符號(hào)　附錄G　300K時(shí)的物質(zhì)特性　附錄H　縮略語(yǔ)參考文獻(xiàn)

圖書(shū)封面

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