微電子技術(shù)工程

內(nèi)容概要

本書(shū)介紹了微電子器件襯底材料性能、加工工藝與測(cè)試技術(shù)。全書(shū)共分15章，內(nèi)容涉及硅單晶性質(zhì)與加工技術(shù)、外延、氧化、擴(kuò)散、制版、圖形轉(zhuǎn)移、刻蝕、多層布線、封裝、鍵合、微機(jī)械加工及檢測(cè)技術(shù)。    本書(shū)可作為電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科高校教材，也可作為教師、研究生的專業(yè)參考書(shū)，同時(shí)對(duì)從事IC產(chǎn)業(yè)的企業(yè)和科研單位的專業(yè)技術(shù)人員也有重要的參考價(jià)值。

作者簡(jiǎn)介

劉玉嶺教授，博士生導(dǎo)師，河北工業(yè)微電子技術(shù)與材料研究所所長(zhǎng)，天津新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)晶嶺高科技有限公司總經(jīng)理，第九、十屆全國(guó)政協(xié)委員，國(guó)家級(jí)有突出貢獻(xiàn)的中青年專家，全國(guó)高?？萍枷冗M(jìn)工作者，河北省十大發(fā)明家，天津市科技先進(jìn)工作者，天津市勞模范，享受政府特殊津

書(shū)籍目錄

第0章  緒論  0.1  微電子技術(shù)是社會(huì)信息化的基礎(chǔ)  0.2  集成電路技術(shù)新發(fā)展    0.2.1  集成電路的分類    0.2.2  集成電路的發(fā)展趨勢(shì)及其特點(diǎn)    0.2.3  微電子技術(shù)制造發(fā)展趨勢(shì)  0.3  微電子技術(shù)新領(lǐng)域    0.3.1  微電子機(jī)械系統(tǒng)    0.3.2  納米電子技術(shù)    0.3.3  超導(dǎo)微電子技術(shù)    0.3.4  有機(jī)微電子技術(shù)  參考文獻(xiàn)第1章  硅單晶材料的基本性質(zhì)  1.1  硅半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)    1.1.1  半導(dǎo)體的電子能帶結(jié)構(gòu)    1.1.2  半導(dǎo)體    1.1.3  硅單晶的光學(xué)性質(zhì)    1.1.4  硅單晶的熱性質(zhì)    1.1.5  硅的機(jī)械性質(zhì)  1.2  硅襯底材料的晶體缺陷    1.2.1  硅單晶的點(diǎn)缺陷    1.2.2  硅單晶中的線缺陷（位錯(cuò)）    1.2.3  硅單晶中的面缺陷（界面）  參考文獻(xiàn)第2章  超大規(guī)模集成電路硅襯底加工技術(shù)工程  2.1  超大規(guī)模集成電路襯底硅單晶的加工成型技術(shù)    2.1.1  單晶錠外形整理    2.1.2  切片    2.1.3  倒角    2.1.4  磨片    2.1.5  硅單晶研磨片的清洗    2.1.6  腐蝕    2.1.7  展望  2.2  超大規(guī)模集成電路硅襯底的拋光技術(shù)    2.2.1  硅襯底的邊緣拋光    2.2.2  IC中硅襯底表面拋光    2.2.3  拋光液    2.2.4  拋光硅片表面質(zhì)量與拋光工藝技術(shù)    2.2.5  展望  參考文獻(xiàn)第3章  硅氣相外延技術(shù)工程第4章  鍵合技術(shù)工程第5章  微機(jī)械加工技術(shù)工程第6章  微電子器件氧化及鈍化技術(shù)工程第7章  擴(kuò)散與離子注入第8章  IC制備中制版技術(shù)及原理第9章  IC制備中的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)及原理第10章  IC制備中的刻蝕技術(shù)第11章  IC制備中多層布線與全面平坦化技術(shù)與原理第12章  IC制備中的封裝技術(shù)與原理第13章  IC制備中的金屬處理技術(shù)與原理第14章  硅單晶性質(zhì)的檢測(cè)設(shè)備與技術(shù)附錄A  硅單晶片材料及半導(dǎo)體工業(yè)常用名詞的解釋附錄B  硅在300K的物理常數(shù)附錄C  物理基本常數(shù)附錄D  長(zhǎng)度單位轉(zhuǎn)換表附錄E  壓力單位轉(zhuǎn)換表附錄F  能量單位轉(zhuǎn)換表附錄G  力單位轉(zhuǎn)換表

圖書(shū)封面

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    微電子技術(shù)工程 PDF格式下載

---