集成電路器件電子學(xué)

內(nèi)容概要

本書(shū)系統(tǒng)介紹了集成電路器件電子學(xué)，其內(nèi)容可分為兩部分：第一部分是學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識(shí)，包括半導(dǎo)體物理和工藝的基本知識(shí)，以及金屬-半導(dǎo)體接觸和pn結(jié)理論；第二部分系統(tǒng)深入地闡述了雙極晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和特性。書(shū)中每章后有大量的習(xí)題，供讀者加深理解所學(xué)的知識(shí)。    本書(shū)可作為高等學(xué)校微電子專(zhuān)業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書(shū)或參考書(shū)，也可供在相關(guān)領(lǐng)域工作的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員參考。

作者簡(jiǎn)介

Richard S.Muller，自20世紀(jì)60年代早期硅集成電路發(fā)明以來(lái)，Richard S.Muller一直從事這一領(lǐng)域的研究工作。他于1962年在加州理工學(xué)院獲得博士學(xué)位。此后加入加州大學(xué)伯克利分校，進(jìn)行前瞻性的研究與教學(xué)工作。通過(guò)與校內(nèi)的電路設(shè)計(jì)人員，器件專(zhuān)家和工藝人員的合作，以及

書(shū)籍目錄

第1章  半導(dǎo)體電學(xué)特性  1.1  半導(dǎo)體材料物理  1.2  半導(dǎo)體中的自由載流子  1.3  器件：霍爾效應(yīng)磁傳感器  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書(shū)  習(xí)題第2章  硅工藝  2.1  硅平面工藝  2.2  晶體生長(zhǎng)  2.3  熱氧化  2.4  光刻和圖形轉(zhuǎn)移  2.5  摻雜和擴(kuò)散  2.6  化學(xué)氣相淀積  2.7  互連和封裝  2.8  化合物半導(dǎo)體工藝  2.9  數(shù)值模擬  2.10  器件：集成電路中的電阻  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書(shū)  習(xí)題第3章  金融-半導(dǎo)體接觸  3.1  電子系統(tǒng)中的平衡  3.2  理想的金屬-半導(dǎo)體結(jié)  3.3  電流-電壓特性  3.4  非整流（歐姆）接觸  3.5  表面效應(yīng)      3.6  金屬-半導(dǎo)體器件：Schottky二極管  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書(shū)  習(xí)題第4章  pn結(jié)  4.1  緩變雜質(zhì)分布  4.2  反偏pn結(jié)  4.3  結(jié)的擊穿  4.4  器件：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書(shū)  習(xí)題  4.5第5章  pn結(jié)中的電流第6章  雙極晶體管I：基本特性第7章  雙極晶體管II：局限性與模型化第8章  金屬-氧化物-半導(dǎo)體系統(tǒng)的性質(zhì)第9章  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管I：物理效應(yīng)和模型第10章  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管II：強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)部分參考答案附錄索引

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