集成電路器件電子學(xué)

出版時(shí)間:2004-11  出版社:電子工業(yè)出版社  作者:米勒  頁數(shù):479  字?jǐn)?shù):806000  
Tag標(biāo)簽:無  

內(nèi)容概要

本書系統(tǒng)介紹了集成電路器件電子學(xué),其內(nèi)容可分為兩部分:第一部分是學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識(shí),包括半導(dǎo)體物理和工藝的基本知識(shí),以及金屬-半導(dǎo)體接觸和pn結(jié)理論;第二部分系統(tǒng)深入地闡述了雙極晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管的工作原理和特性。書中每章后有大量的習(xí)題,供讀者加深理解所學(xué)的知識(shí)。    本書可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書或參考書,也可供在相關(guān)領(lǐng)域工作的專業(yè)技術(shù)人員參考。

作者簡介

Richard S.Muller,自20世紀(jì)60年代早期硅集成電路發(fā)明以來,Richard S.Muller一直從事這一領(lǐng)域的研究工作。他于1962年在加州理工學(xué)院獲得博士學(xué)位。此后加入加州大學(xué)伯克利分校,進(jìn)行前瞻性的研究與教學(xué)工作。通過與校內(nèi)的電路設(shè)計(jì)人員,器件專家和工藝人員的合作,以及

書籍目錄

第1章  半導(dǎo)體電學(xué)特性  1.1  半導(dǎo)體材料物理  1.2  半導(dǎo)體中的自由載流子  1.3  器件:霍爾效應(yīng)磁傳感器  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書  習(xí)題第2章  硅工藝  2.1  硅平面工藝  2.2  晶體生長  2.3  熱氧化  2.4  光刻和圖形轉(zhuǎn)移  2.5  摻雜和擴(kuò)散  2.6  化學(xué)氣相淀積  2.7  互連和封裝  2.8  化合物半導(dǎo)體工藝  2.9  數(shù)值模擬  2.10  器件:集成電路中的電阻  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書  習(xí)題第3章  金融-半導(dǎo)體接觸  3.1  電子系統(tǒng)中的平衡  3.2  理想的金屬-半導(dǎo)體結(jié)  3.3  電流-電壓特性  3.4  非整流(歐姆)接觸  3.5  表面效應(yīng)      3.6  金屬-半導(dǎo)體器件:Schottky二極管  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書  習(xí)題第4章  pn結(jié)  4.1  緩變雜質(zhì)分布  4.2  反偏pn結(jié)  4.3  結(jié)的擊穿  4.4  器件:結(jié)型場效應(yīng)晶體管  小結(jié)  參考文獻(xiàn)  參考書  習(xí)題  4.5第5章  pn結(jié)中的電流第6章  雙極晶體管I:基本特性第7章  雙極晶體管II:局限性與模型化第8章  金屬-氧化物-半導(dǎo)體系統(tǒng)的性質(zhì)第9章  MOS場效應(yīng)晶體管I:物理效應(yīng)和模型第10章  MOS場效應(yīng)晶體管II:強(qiáng)場效應(yīng)部分參考答案附錄索引

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