出版時間:2008-6 出版社:電子工業(yè)出版社 作者:Robert L.Boylestad,Louis Nashelsky 頁數(shù):470 譯者:李立華,李永華
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內容概要
本書是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth.Edition之英文改編版《模擬電子技術》的翻譯版,內容包括半導體器件基礎、二極管及其應用電路、晶體管和場效應管放大電路的基本原理及頻率響應、功率放大電路、多級放大電路、差分放大電路、電流源等模擬集成電路的單元電路、反饋電路、模擬集成運算放大器、電壓比較器和波形變換電路等。本書對原版教材進行了改編,精簡了內容,突出了重點,補充了必要知識點,內容更加新穎和系統(tǒng)化,反映了器件和應用的發(fā)展趨勢,強調了系統(tǒng)工程的概念。 本書與英文版教材配套使用,適合電子、計算機、通信等相關專業(yè)電子電路基礎課程40學時到68學時的中文或雙語教學要求,也可供相關專業(yè)工程技術人員的學習和參考。
書籍目錄
第1章 半導體二極管 1.1 概述 1.2 半導體材料:鍺、硅和砷化鎵 1.3 共價鍵和本征材料 1.4 摻雜材料:n型材料和p型材料 1.5 半導體二極管 1.6 理想特性與實際特性 1.7 電阻水平 1.8 二極管等效電路 1.9 勢壘電容和擴散電容 1.10 反向恢復時間 1.11 二極管規(guī)格表 1.12 半導體二極管符號 1.13 齊納二極管 1.14 小結 1.15 計算機分析 習題第2章 二極管應用 2.1 概述 2.2 負載線分析 2.3 等效模型分析 2.4 與/或門 2.5 JE弦波輸入、半波整流 2.6 全波整流 2.7 限幅電路 2.8 鉗位電路 2.9 齊納二極管 2.10 小結 習題第3章 雙極性結型晶體管 3.1 概述 3.2 晶體管的結構 3.3 晶體管的工作原理 3.4 共基組態(tài) 3.5 晶體管放大原理 3.6 共射組態(tài) 3.7 共集組態(tài) 3.8 晶體管的工作限 3.9 晶體管規(guī)格說明書 3.10 晶體管外形及引腳識別 3.11 小結 習題第4章 BdT電路直流偏置 4.1 概述 4.2 工作點 4.3 固定偏置電路 4.4 射極偏置 4.5 分壓式偏置 4.6 電壓反饋式直流偏置 4.7 其他偏置電路 4.8 晶體管開關電路 4.9 pnp型晶體管 4.10 偏置的穩(wěn)定性 4.11 小結 習題第5章 BdT交流分析 5.1 概述 5.2 交流放大 5.3 BJT管建模 5.4 r晶體管模型 5.5 混合等效模型 5.6 混合丌模型 5.7 晶體管參數(shù)的變化 5.8 固定偏置共射放大電路 5.9 分壓式偏置共射放大電路 5.10 射極偏置共射放大電路 5.11 射極跟隨電路 5.12 共基電路 5.13 集電極反饋電路 5.14 集電極直流反饋電路 5.15 電流放大倍數(shù)的確定 5.16 Rt和Rs的影響 5.17 雙端口網絡方法 5.18 總結表 5.19 級聯(lián)系統(tǒng) 5.20 達林頓復合管 5.21 反饋對復合管 5.22 鏡像電流源電路 5.23 電流源電路 5.24 簡化混合等效模型 5.25 小結 習題第6章 場效應晶體管 6.1 概述 6.2 結型場效應管的構造和特性 6.3 轉移特性 6.4 規(guī)格清單(結型場效應管) 6.5 重要關系 6.6 耗盡型MOS場效應管 6.7 增強型MOS場效應管 6.8 互補型MOS場效應管 6.9 總結表 6.10 小結 習題第7章 場效應管的偏置 7.1 概述 7.2 固定偏置電路 7.3 自偏置電路 7.4 分壓偏置電路 7.5 耗盡型MOSFET 7.6 增強型MOSFET 7.7 總結表 7.8 組合電路 7.9 p溝道場效應管 7.10 小結 習題第8章 場效應管放大器 8.1 概述 8.2 場效應管的小信號模型 8.3 結型場效應管的固定偏置電路 8.4 結型場效應管的自偏置電路 8.5 結型場效應管的分壓偏置電路 8.6 結型場效應管的源極跟隨器(共漏極)電路 8.7 結型場效應管的共柵極電路 8.8 耗盡型MOSFET 8.9 增強型MOSFET 8.10 增強型MOSFET漏極反饋電路 8.11 增強型MOSFET分壓偏置電路 8.12 總結表 8.13 R和R的影響 8.14 級聯(lián)電路 8.15 小結 習題第9章 BJT和FET的頻率響應 9.1 概述 9.2 一般的頻率因素 9.3 低頻分析——伯德圖 9.4 低頻響應——BJT放大器 9.5 低頻響應——FET放大器 9.6 密勒效應電容或密勒電容 9.7 高頻響應——BJT放大器 9.8 高頻響應——FET放大器 9.9 多級頻率響應 9.10 小結 習題第10章 運算放大器 10.1 概述 10.2 差分放大電路 10.3 差模和共模操作 10.4 BiFET,BiMOS和CMOS構成的差分放大電路 10.5 運算放大器基礎 10.6 運算放大器參數(shù)——直流補償參數(shù) 10.7 運算放大器參數(shù)——頻率參數(shù) 10.8 運算放大器規(guī)格說明書 10.9 小結 習題第11章 運算放大器的應用 11.1 運算電路 11.2 有源濾波器 11.3 比較器應用 11.4 施密特觸發(fā)器 11.5 小結 習題第12章 功率放大器 12.1 概述——功率放大器的定義與類型 12.2 串饋型甲類功率放大器 12.3 變壓器耦合甲類功率放大器 12.4 乙類功率放大器的工作 12.5 乙類功率放大器 12.6 丙類和丁類功率放大器 12.7 小結 習題第13章 反饋電路 13.1 反饋的概念 13.2 反饋的組態(tài)類型 13.3 實用反饋電路 13.4 反饋放大器——相位和頻率考慮 13.5 小結 習題
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本書的核心內容是關于半導體器件和有源電路的模擬電子電路基礎。兩位作者Robert L.Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學從事電路分析、電子電路基礎等相關學科教學的資深教授,在電子電路學科領域出版了多部優(yōu)秀教材,受到很高的評價。本書自1972年首次出版至今已經修訂至第九版,涵蓋了更廣泛和新穎的內容,成為流行30多年的優(yōu)秀經典教材。這本改編版在第九版原版內容的基礎上,結合國內高等教育中模擬電子電路課程的特點,進行了部分內容的調整。
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