出版時間:2011-1 出版社:電子工業(yè) 作者:(美)艾倫//霍爾伯格|譯者:馮軍//李智群 頁數(shù):660
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《CMOS模擬集成電路設計(第二版) 》是模擬集成電路設計課程的一本經(jīng)典教材,作者從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā),結(jié)合豐富的工程和教學經(jīng)驗,對CMOS模擬電路設計的原理和技術(shù)及容易忽略的問題給出了詳盡論述,闡述了分層設計的方法。全書共分十章,主要介紹了模擬集成電路設計的背景知識,CMOS技術(shù),器件模型及主要模擬電路的原理和設計,包括CMOS基本單元電路(MOS開關(guān)、MOS二極管、有源電阻,電流漏、電流源、電流鏡、帶隙基準源、基準電流源和電壓源等),放大器,運算放大器,比較器,開關(guān)電容電路,D/A和A/D轉(zhuǎn)換電路。《CMOS模擬集成電路設計(第二版) 》通過大量設計實例闡述設計原理,將理論與實踐融為一體,同時還針對許多工業(yè)界人士的需求和問題進行了分析和解釋?!禖MOS模擬集成電路設計(第二版) 》不僅可以用做大專院校相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的教材,也可作為半導體和集成電路設計領(lǐng)域技術(shù)人員的參考書。
書籍目錄
第1章 緒論 1.1 模擬集成電路設計 1.2 字符、符號和術(shù)語 1.3 模擬信號處理 1.4 vlsi混合信號電路設計模擬舉例 1.5 小結(jié) 習題 參考文獻 第2章 cmos技術(shù) 2.1 基本mos半導體制造工藝 2.2 pn結(jié) 2.3 mos晶體管 2.4 無源元件 2.5 關(guān)于cmos技術(shù)的其他考慮 2.6 集成電路版圖 2.7 小結(jié) 習題 參考文獻 第3章 cmos器件模型 3.1 簡單的mos大信號模型(spice level1) 3.2 其他mos管大信號模型的參數(shù) 3.3 mos管的小信號模型 3.4 計算機仿真模型 3.5 亞閾值電壓區(qū)mos模型 3.6 mos電路的spice模擬 3.7 小結(jié) 習題 參考文獻 第4章 模擬cmos子電路 4.1 mos開關(guān) 4.2 mos二極管/有源電阻 4.3 電流漏和電流源 4.4 電流鏡 4.5 基準電流和電壓 4.6 帶隙基準 4.7 小結(jié) 習題 參考文獻 第5章 cmos放大器 5.1 反相器 5.2 差分放大器 5.3 共源共柵放大器 5.4 電流放大器 5.5 輸出放大器 5.6 高增益放大器結(jié)構(gòu) 5.7 小結(jié) 習題 參考文獻 第6章 cmos運算放大器 6.1 cmos運算放大器設計 6.2 運算放大器的補償 6.3 兩級運算放大器設計 6.4 兩級運算放大器的電源抑制比 6.5 共源共柵運算放大器 6.6 運算放大器的仿真和測量 6.7 運算放大器的宏模型 6.8 小結(jié) 習題 參考文獻 第7章 高性能cmos運算放大器 7.1 緩沖運算放大器 7.2 高速/高頻cmos運算放大器 7.3 差分輸出運算放大器 7.4 微功耗運算放大器 7.5 低噪聲運算放大器 7.6 低電壓運算放大器 7.7 小結(jié) 習題 參考文獻 第8章 比較器 8.1 比較器的特性 8.2 兩級開環(huán)比較器 8.3 其他開環(huán)比較器 8.4 開環(huán)比較器性能的改進 8.5 離散時間比較器 8.6 高速比較器 8.7 小結(jié) 習題 參考文獻 第9章 開關(guān)電容電路 9.1 開關(guān)電容電路 9.2 開關(guān)電容放大器 9.3 開關(guān)電容積分器 9.4 兩相開關(guān)電容電路的z域模型 9.5 一階開關(guān)電容電路 9.6 二階開關(guān)電容電路 9.7 開關(guān)電容濾波器 9.8 小結(jié) 習題 參考文獻 第10章 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.1 數(shù)模轉(zhuǎn)換器簡介及特性 10.2 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器 10.3 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器分辨率的擴展 10.4 串行數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器 10.5 模數(shù)轉(zhuǎn)換器簡介和特性 10.6 串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.7 中速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.8 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.9 過采樣轉(zhuǎn)換器 10.10 小結(jié) 習題 參考文獻 附錄a 模擬電路設計的電路分析 附錄b cmos器件性能 附錄c 二階系統(tǒng)的時域和頻域關(guān)系 索引
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《CMOS模擬集成電路設計(第2版)》從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā),將作者豐富的實踐經(jīng)驗和教學經(jīng)驗相結(jié)合,對CMOS模擬電路設計的原理和技術(shù)給出了深入和詳盡的論述?!禖MOS模擬集成電路設計(第2版)》有兩個主要目標: ?將理論與買踐完美結(jié)合.在內(nèi)容處理上既不膚淺也不拘泥于細節(jié) ?使讀者能夠應用層次化設計方法進行模擬集成電路設計 第二版中講到的多數(shù)技術(shù)和原理已為工業(yè)界讀者所知,他們提出的問題和需求對《CMOS模擬集成電路設計(第2版)》的修訂起到很大作用,從而使這個版本成為工程技術(shù)人員的更有價值的參考書?! 禖MOS模擬集成電路設計(第2版)》的特點是其獨特的設計方法,該方法可使讀者循序漸進地經(jīng)歷倉0建實際電路的過程,并能夠分析復雜的設計問題?!禖MOS模擬集成電路設計(第2版)》詳細討論了容易被忽略的問題,同時有意識地淡化了雙極型模擬電路,因CMOS是模擬集成電路設計的主流工藝?! 禖MOS模擬集成電路設計(第2版)》適用于具有一定基礎電子學背景知識的本科高年級學生和研究生,這些背景知識包括偏置、建模、電路分析和頻率響應《CMOS模擬集成電路設計(第2版)》提供了一個完整的設計流程圖(包括建模、模擬和測試),使讀者能夠用CMOS技術(shù)完成模擬電路的設計 《CMOS模擬集成電路設計(第2版)》特色 傳授專家們在設計方法上的經(jīng)驗 指出初學者在設計中遇到的共性問題 每章提供的例題有助于進一步加深學生對內(nèi)容的理解 包含大量習題,可作為課后作業(yè)或用于測試和考試 增加了開關(guān)電容電路的內(nèi)容 在附錄中提供了仿真技術(shù)的資料和如下補充內(nèi)容: ?CMOS模擬電路設計的電路分析的簡單回顧 ?分析CMOS電路的計算程序 ?二階系統(tǒng)時域和頻域關(guān)系的慨述
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