出版時(shí)間:2011-1 出版社:電子工業(yè) 作者:(美)艾倫//霍爾伯格|譯者:馮軍//李智群 頁(yè)數(shù):660
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內(nèi)容概要
《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第二版) 》是模擬集成電路設(shè)計(jì)課程的一本經(jīng)典教材,作者從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā),結(jié)合豐富的工程和教學(xué)經(jīng)驗(yàn),對(duì)CMOS模擬電路設(shè)計(jì)的原理和技術(shù)及容易忽略的問(wèn)題給出了詳盡論述,闡述了分層設(shè)計(jì)的方法。全書(shū)共分十章,主要介紹了模擬集成電路設(shè)計(jì)的背景知識(shí),CMOS技術(shù),器件模型及主要模擬電路的原理和設(shè)計(jì),包括CMOS基本單元電路(MOS開(kāi)關(guān)、MOS二極管、有源電阻,電流漏、電流源、電流鏡、帶隙基準(zhǔn)源、基準(zhǔn)電流源和電壓源等),放大器,運(yùn)算放大器,比較器,開(kāi)關(guān)電容電路,D/A和A/D轉(zhuǎn)換電路?!禖MOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第二版) 》通過(guò)大量設(shè)計(jì)實(shí)例闡述設(shè)計(jì)原理,將理論與實(shí)踐融為一體,同時(shí)還針對(duì)許多工業(yè)界人士的需求和問(wèn)題進(jìn)行了分析和解釋。《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第二版) 》不僅可以用做大專院校相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教材,也可作為半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域技術(shù)人員的參考書(shū)。
書(shū)籍目錄
第1章 緒論 1.1 模擬集成電路設(shè)計(jì) 1.2 字符、符號(hào)和術(shù)語(yǔ) 1.3 模擬信號(hào)處理 1.4 vlsi混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)模擬舉例 1.5 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第2章 cmos技術(shù) 2.1 基本mos半導(dǎo)體制造工藝 2.2 pn結(jié) 2.3 mos晶體管 2.4 無(wú)源元件 2.5 關(guān)于cmos技術(shù)的其他考慮 2.6 集成電路版圖 2.7 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第3章 cmos器件模型 3.1 簡(jiǎn)單的mos大信號(hào)模型(spice level1) 3.2 其他mos管大信號(hào)模型的參數(shù) 3.3 mos管的小信號(hào)模型 3.4 計(jì)算機(jī)仿真模型 3.5 亞閾值電壓區(qū)mos模型 3.6 mos電路的spice模擬 3.7 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第4章 模擬cmos子電路 4.1 mos開(kāi)關(guān) 4.2 mos二極管/有源電阻 4.3 電流漏和電流源 4.4 電流鏡 4.5 基準(zhǔn)電流和電壓 4.6 帶隙基準(zhǔn) 4.7 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第5章 cmos放大器 5.1 反相器 5.2 差分放大器 5.3 共源共柵放大器 5.4 電流放大器 5.5 輸出放大器 5.6 高增益放大器結(jié)構(gòu) 5.7 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第6章 cmos運(yùn)算放大器 6.1 cmos運(yùn)算放大器設(shè)計(jì) 6.2 運(yùn)算放大器的補(bǔ)償 6.3 兩級(jí)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì) 6.4 兩級(jí)運(yùn)算放大器的電源抑制比 6.5 共源共柵運(yùn)算放大器 6.6 運(yùn)算放大器的仿真和測(cè)量 6.7 運(yùn)算放大器的宏模型 6.8 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第7章 高性能cmos運(yùn)算放大器 7.1 緩沖運(yùn)算放大器 7.2 高速/高頻cmos運(yùn)算放大器 7.3 差分輸出運(yùn)算放大器 7.4 微功耗運(yùn)算放大器 7.5 低噪聲運(yùn)算放大器 7.6 低電壓運(yùn)算放大器 7.7 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第8章 比較器 8.1 比較器的特性 8.2 兩級(jí)開(kāi)環(huán)比較器 8.3 其他開(kāi)環(huán)比較器 8.4 開(kāi)環(huán)比較器性能的改進(jìn) 8.5 離散時(shí)間比較器 8.6 高速比較器 8.7 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第9章 開(kāi)關(guān)電容電路 9.1 開(kāi)關(guān)電容電路 9.2 開(kāi)關(guān)電容放大器 9.3 開(kāi)關(guān)電容積分器 9.4 兩相開(kāi)關(guān)電容電路的z域模型 9.5 一階開(kāi)關(guān)電容電路 9.6 二階開(kāi)關(guān)電容電路 9.7 開(kāi)關(guān)電容濾波器 9.8 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第10章 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.1 數(shù)模轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)介及特性 10.2 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器 10.3 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器分辨率的擴(kuò)展 10.4 串行數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器 10.5 模數(shù)轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)介和特性 10.6 串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.7 中速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.8 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 10.9 過(guò)采樣轉(zhuǎn)換器 10.10 小結(jié) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 附錄a 模擬電路設(shè)計(jì)的電路分析 附錄b cmos器件性能 附錄c 二階系統(tǒng)的時(shí)域和頻域關(guān)系 索引
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《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā),將作者豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和教學(xué)經(jīng)驗(yàn)相結(jié)合,對(duì)CMOS模擬電路設(shè)計(jì)的原理和技術(shù)給出了深入和詳盡的論述?!禖MOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》有兩個(gè)主要目標(biāo): ?將理論與買(mǎi)踐完美結(jié)合.在內(nèi)容處理上既不膚淺也不拘泥于細(xì)節(jié) ?使讀者能夠應(yīng)用層次化設(shè)計(jì)方法進(jìn)行模擬集成電路設(shè)計(jì) 第二版中講到的多數(shù)技術(shù)和原理已為工業(yè)界讀者所知,他們提出的問(wèn)題和需求對(duì)《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》的修訂起到很大作用,從而使這個(gè)版本成為工程技術(shù)人員的更有價(jià)值的參考書(shū)?! 禖MOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》的特點(diǎn)是其獨(dú)特的設(shè)計(jì)方法,該方法可使讀者循序漸進(jìn)地經(jīng)歷倉(cāng)0建實(shí)際電路的過(guò)程,并能夠分析復(fù)雜的設(shè)計(jì)問(wèn)題?!禖MOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》詳細(xì)討論了容易被忽略的問(wèn)題,同時(shí)有意識(shí)地淡化了雙極型模擬電路,因CMOS是模擬集成電路設(shè)計(jì)的主流工藝?! 禖MOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》適用于具有一定基礎(chǔ)電子學(xué)背景知識(shí)的本科高年級(jí)學(xué)生和研究生,這些背景知識(shí)包括偏置、建模、電路分析和頻率響應(yīng)《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》提供了一個(gè)完整的設(shè)計(jì)流程圖(包括建模、模擬和測(cè)試),使讀者能夠用CMOS技術(shù)完成模擬電路的設(shè)計(jì) 《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》特色 傳授專家們?cè)谠O(shè)計(jì)方法上的經(jīng)驗(yàn) 指出初學(xué)者在設(shè)計(jì)中遇到的共性問(wèn)題 每章提供的例題有助于進(jìn)一步加深學(xué)生對(duì)內(nèi)容的理解 包含大量習(xí)題,可作為課后作業(yè)或用于測(cè)試和考試 增加了開(kāi)關(guān)電容電路的內(nèi)容 在附錄中提供了仿真技術(shù)的資料和如下補(bǔ)充內(nèi)容: ?CMOS模擬電路設(shè)計(jì)的電路分析的簡(jiǎn)單回顧 ?分析CMOS電路的計(jì)算程序 ?二階系統(tǒng)時(shí)域和頻域關(guān)系的慨述
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