半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)

內(nèi)容概要

本書詳細(xì)介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中半導(dǎo)體材料和器件的表征技術(shù)，基本上覆蓋了所有的電學(xué)與光學(xué)測試方法，以及非常專業(yè)的與半導(dǎo)體材料相關(guān)的物理和化學(xué)測試方法。作者不但論述了測量中的相關(guān)物理問題及半導(dǎo)體材料與器件的參數(shù)的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經(jīng)驗(yàn)?zāi)Y(jié)其中，并給出了具體測量手段，同時指出不同手段的局限性和測量注意事項(xiàng)。    本版經(jīng)修訂及擴(kuò)展，增加了許多逐漸成熟起來的表征技術(shù)，如從探測硅晶圓中金屬雜質(zhì)的掃描探針到用于無接觸式電阻測量的微波反射技術(shù)。本版特色如下：    增加了可靠性和探針顯微技術(shù)方面的全新內(nèi)容；增加了大量例題和章后習(xí)題；修訂了500幅圖例；更新了超過1200條參考文獻(xiàn)；采用了更合適的單位制，而不是嚴(yán)格的MKS單位制。    本書可作為碩士、博士研究生的教材，也可供高校教師、半導(dǎo)體工業(yè)研究人員參考使用。

作者簡介

DIETER K.SCHRODER是亞利桑那州立大學(xué)電子工程系教授，亞利桑那州立大學(xué)工程學(xué)院教學(xué)杰出貢獻(xiàn)獎獲得者，曾著《現(xiàn)代MOS器件》一書。

書籍目錄

第1章  電阻率  1.1  簡介  1.2  兩探針與四探針  練習(xí)1.1    1.2.1  修正因子  練習(xí)1.2  練習(xí)1.3  練習(xí)1.4    1.2.2  任意形狀樣品的電阻率    1.2.3  測量電路    1.2.4  測量偏差和注意事項(xiàng)  1.3  晶片映像    1.3.1  二次注入    1.3.2  調(diào)制光反射    1.3.3  載流子發(fā)射（CI）    1.3.4  光密度測定法  1.4  電阻率分布    1.4.1  微分霍耳效應(yīng)（DHE）  練習(xí)1.5    1.4.2  擴(kuò)展電阻剖面分布（SRP）  1.5  非接觸方法    1.5.1  渦流  1.6  電導(dǎo)率類型  1.7  優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)  附錄1.1  以摻雜濃度為函數(shù)的電阻率  附錄1.2  本征載流子濃度  習(xí)題  參考文獻(xiàn)第2章  載流子和摻雜濃度  2.1  簡介  2.2  電容-電壓測量    2.2.1  微分電容    2.2.2  帶差    2.2.3  最大-最小MOS-C電容  練習(xí)2.1    2.2.4  積分電容    2.2.5  汞探針接觸    2.2.6  電化學(xué)Cy剖面分析  2.3  電流-電壓測量    2.3.1  MOSFET襯底電壓-柵電壓    2.3.2  MOSFET閾值電壓    ……第3章  接觸電阻、肖特基勢驛及電遷移第4章  串聯(lián)電阻、溝道長度與寬度、閾值電壓及熱載流子第5章  缺陷第6章  氧化物、界面陷阱電茶及氣化物完整性第7章  載流子壽命第8章  遷移率第9章  光學(xué)表征第10章  物理化學(xué)特性的表征

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