半導體材料與器件表征技術

內容概要

本書詳細介紹了現代半導體工業(yè)中半導體材料和器件的表征技術，基本上覆蓋了所有的電學與光學測試方法，以及非常專業(yè)的與半導體材料相關的物理和化學測試方法。作者不但論述了測量中的相關物理問題及半導體材料與器件的參數的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經驗凝結其中，并給出了具體測量手段，同時指出不同手段的局限性和測量注意事項。    本版經修訂及擴展，增加了許多逐漸成熟起來的表征技術，如從探測硅晶圓中金屬雜質的掃描探針到用于無接觸式電阻測量的微波反射技術。本版特色如下：    增加了可靠性和探針顯微技術方面的全新內容；增加了大量例題和章后習題；修訂了500幅圖例；更新了超過1200條參考文獻；采用了更合適的單位制，而不是嚴格的MKS單位制。    本書可作為碩士、博士研究生的教材，也可供高校教師、半導體工業(yè)研究人員參考使用。

作者簡介

DIETER K.SCHRODER是亞利桑那州立大學電子工程系教授，亞利桑那州立大學工程學院教學杰出貢獻獎獲得者，曾著《現代MOS器件》一書。

書籍目錄

第1章  電阻率  1.1  簡介  1.2  兩探針與四探針  練習1.1    1.2.1  修正因子  練習1.2  練習1.3  練習1.4    1.2.2  任意形狀樣品的電阻率    1.2.3  測量電路    1.2.4  測量偏差和注意事項  1.3  晶片映像    1.3.1  二次注入    1.3.2  調制光反射    1.3.3  載流子發(fā)射（CI）    1.3.4  光密度測定法  1.4  電阻率分布    1.4.1  微分霍耳效應（DHE）  練習1.5    1.4.2  擴展電阻剖面分布（SRP）  1.5  非接觸方法    1.5.1  渦流  1.6  電導率類型  1.7  優(yōu)點和缺點  附錄1.1  以摻雜濃度為函數的電阻率  附錄1.2  本征載流子濃度  習題  參考文獻第2章  載流子和摻雜濃度  2.1  簡介  2.2  電容-電壓測量    2.2.1  微分電容    2.2.2  帶差    2.2.3  最大-最小MOS-C電容  練習2.1    2.2.4  積分電容    2.2.5  汞探針接觸    2.2.6  電化學Cy剖面分析  2.3  電流-電壓測量    2.3.1  MOSFET襯底電壓-柵電壓    2.3.2  MOSFET閾值電壓    ……第3章  接觸電阻、肖特基勢驛及電遷移第4章  串聯電阻、溝道長度與寬度、閾值電壓及熱載流子第5章  缺陷第6章  氧化物、界面陷阱電茶及氣化物完整性第7章  載流子壽命第8章  遷移率第9章  光學表征第10章  物理化學特性的表征

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