出版時(shí)間:2008-6 出版社:西北工業(yè)大學(xué)出版社 作者:王躍東,李賞 編 頁數(shù):216
內(nèi)容概要
《電子技術(shù)基礎(chǔ)》在內(nèi)容組織上緊扣職業(yè)學(xué)校學(xué)生的實(shí)際情況,具有深入淺出、通俗易懂、操作性強(qiáng)的特點(diǎn)。另外,《職業(yè)教育精品實(shí)用教材:電子技術(shù)基礎(chǔ)》盡可能多地在教材中充實(shí)新知識(shí)、新技術(shù)、新設(shè)備和新材料等方面的內(nèi)容,力求教材具有較鮮明的時(shí)代特征。在教材的編寫模式方面盡可能使用圖片、實(shí)物照片或表格形式將各知識(shí)點(diǎn)生動(dòng)地展示出來,力求給學(xué)生營(yíng)造一個(gè)更加直觀的認(rèn)知環(huán)境。通過《職業(yè)教育精品實(shí)用教材:電子技術(shù)基礎(chǔ)》的學(xué)習(xí),能培養(yǎng)學(xué)生理論聯(lián)系實(shí)際、嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)、團(tuán)結(jié)協(xié)作的精神,能有效地提高學(xué)生獨(dú)立分析、解決問題的能力?! 堵殬I(yè)教育精品實(shí)用教材:電子技術(shù)基礎(chǔ)》主要介紹半導(dǎo)體二極管,半導(dǎo)體三極管及其放大電路,集成運(yùn)算放大電路,正弦波振蕩電路,直流穩(wěn)壓電源,晶閘管及其應(yīng)用,數(shù)字電路基礎(chǔ),門電路及組合邏輯電路,觸發(fā)器、時(shí)序邏輯電路等內(nèi)容,最后附有實(shí)驗(yàn),以加深讀者對(duì)所學(xué)知識(shí)的掌握和運(yùn)用。
書籍目錄
第1章 半導(dǎo)體二極管1.1 半導(dǎo)體的物理基礎(chǔ)1.2 半導(dǎo)體二極管本章小結(jié)本章習(xí)題第2章 半導(dǎo)體三極管及其放大電路2.1 半導(dǎo)體三極管2.2 基本放大電路2.3 分壓式偏置放大電路2.4 多級(jí)放大器2.5 負(fù)反饋放大電路2.6 功率放大器本章小結(jié)本章習(xí)題第3章 集成運(yùn)算放大電路3.1 集成電路概述3.2 集成運(yùn)算放大器3.3 集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路3.4 集成運(yùn)算放大器的使用常識(shí)本章小結(jié)本章習(xí)題第4章 正弦波振蕩電路4.1 正弦波振蕩電路的組成和分析方法4.2 RC正弦波振蕩電路4.3 LC正弦波振蕩電路4.4 石英晶體振蕩電路本章小結(jié)本章習(xí)題第5章 直流穩(wěn)壓電源5.1 整流電路5.2 濾波電路5.3 穩(wěn)壓電路5.4 集成穩(wěn)壓電路5.5 開關(guān)型穩(wěn)壓電源簡(jiǎn)介本章小結(jié)本章習(xí)題第6章 晶閘管及其應(yīng)用6.1 晶閘管6.2 單相可控整流電路6.3 三相可控整流電路6.4 晶閘管的鑒別、選擇及保護(hù)6.5 晶閘管觸發(fā)電路6.6 晶閘管派生器件本章小結(jié)本章習(xí)題第7章 數(shù)字電路基礎(chǔ)7.1 數(shù)字電路概述7.2 數(shù)制和碼制7.3 邏輯代數(shù)及邏輯函數(shù)化簡(jiǎn)7.4 邏輯函數(shù)的表示法本章小結(jié)本章習(xí)題第8章 門電路及組合邏輯電路8.1 基本邏輯門電路8.2 集成門電路8.3 組合邏輯電路本章小結(jié)本章習(xí)題第9章 觸發(fā)器、時(shí)序邏輯電路9.1 觸發(fā)器9.2 時(shí)序邏輯電路9.3 數(shù)/模與模/數(shù)轉(zhuǎn)換器本章小結(jié)本章習(xí)題實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)1 常用電子儀器的使用實(shí)驗(yàn)2 晶體三極管的特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)3 負(fù)反饋放大實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)4 集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)5 直流穩(wěn)壓電源實(shí)驗(yàn)6 晶閘管可控整流電路實(shí)驗(yàn)7 TTL集成邏輯門的邏輯功能與參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)8 集成觸發(fā)器的應(yīng)用附錄
章節(jié)摘錄
第1章 半導(dǎo)體二極管 1.1 半導(dǎo)體的物理基礎(chǔ) 一、常用的半導(dǎo)體材料 物體按其導(dǎo)電性能可以分為3類:導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一些物體,如硅、鍺、硫化鎘等。物體的導(dǎo)電性是由物體內(nèi)可以自由移動(dòng)的帶電粒子的多少所決定的,這種帶電粒子稱為載流子。物體內(nèi)部的載流子濃度越大,則其導(dǎo)電能力越強(qiáng)。金屬內(nèi)部由于含有大量帶負(fù)電的自由電子,所以具有良好的導(dǎo)電性能;而絕緣體內(nèi)部幾乎沒有載流子,所以沒有導(dǎo)電本領(lǐng)?! 〕S玫陌雽?dǎo)體材料硅和鍺都是原子規(guī)則排列的單晶體,因此用半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體管通常也稱為晶體管,其原子結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。從圖中可以看出它們每個(gè)原子的最外層均有4個(gè)價(jià)電子。因此,它們的每個(gè)原子可以與周圍的4個(gè)原子共用一對(duì)價(jià)電子,把相鄰的原子結(jié)合在一起,構(gòu)成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。純度很高、晶格結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體在溫度為絕對(duì)零度(-273℃)時(shí),共價(jià)鍵上的價(jià)電子不能掙脫原子核的束縛,內(nèi)部沒有載流子,此時(shí)的本征半導(dǎo)體就相當(dāng)于絕緣體。但是,在常溫下由于熱能的作用,使一些價(jià)電子可以獲得能量脫離原子核的束縛而成為自由電子。 ……
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