MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用

出版時(shí)間:2009-5  出版社:人民郵電  作者:王水平//王亞聰//白麗娜//王禾//馮建超  頁(yè)數(shù):327  
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前言

  近幾年來(lái),隨著微電子技術(shù)、磁性材料科學(xué)以及其他邊沿技術(shù)科學(xué)的不斷改進(jìn)和飛速發(fā)展,開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源(DC-DC、DC-AC、AC-DC、AC-AC等各種非線性高頻變換器技術(shù))、功率因數(shù)校正(PFC)、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)(無(wú)極調(diào)速和變頻調(diào)速)和電源管理技術(shù)有了突破性的進(jìn)展,并且由此產(chǎn)生出了許多能夠提高人們生活水平和改善人們工作條件的新產(chǎn)品,如電動(dòng)自行車、自動(dòng)擋汽車、變頻空調(diào)、逆變焊機(jī)、快速充電器、電力機(jī)車、電力冶煉設(shè)備、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電站等。MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)則是這些技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù),MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路不僅成為各種功率電子設(shè)備的心臟,而且也成為各種功率電子設(shè)備和系統(tǒng)高效率、低功耗、安全可靠運(yùn)行和實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制的關(guān)鍵。目前,需要多路多種電源供電、功率因數(shù)校正和滿足電磁兼容(EMC)標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)和電子設(shè)備越來(lái)越多,需要無(wú)極調(diào)速和變頻調(diào)速的大型機(jī)械也越來(lái)越多。因此,為了凈化環(huán)境、凈化電網(wǎng)、節(jié)約能源,滿足EMI等方面的標(biāo)準(zhǔn)和要求,實(shí)現(xiàn)各種機(jī)械自動(dòng)化控制,M()SFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)成為人們所倡導(dǎo)和要求推廣的技術(shù)。  雖然MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,但是有關(guān)這方面的書籍寥寥無(wú)幾。有關(guān)內(nèi)容均被插入和收編到開(kāi)關(guān)電源方面的書籍中,且僅局限于開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù),有關(guān)功率因數(shù)校正和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等方面的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)只能在一些相關(guān)的生產(chǎn)廣家或公司的網(wǎng)站上查到。因此,本書將開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源、功率因數(shù)校正、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理方面的:MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯集于一體,而且將作者20多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)融入到本書中的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例的有關(guān)章節(jié)中,希望能使讀者應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)集成電路設(shè)計(jì)出較為實(shí)用的應(yīng)用電路。

內(nèi)容概要

本書主要介紹了同步整流式、雙端輸出式、半橋式和推挽式四個(gè)常用系列的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的電性能參數(shù)、引腳引線、外形封裝和內(nèi)部原理方框圖,重點(diǎn)給出了它們?cè)陂_(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源(PWM驅(qū)動(dòng)及同步整流)、功率因數(shù)校正(PFC)、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)智能控制(無(wú)極調(diào)速和變頻調(diào)速)和電源管理(高端和低端開(kāi)關(guān))等方面的典型應(yīng)用電路。為了達(dá)到凈化環(huán)境、凈化電網(wǎng)、節(jié)約能源和滿足對(duì)電磁兼容等方面要求的目的,本書對(duì)低電壓、大電流輸出式的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的應(yīng)用電路也進(jìn)行了重點(diǎn)介紹?! ”緯晒╇娮庸こ碳夹g(shù)、電源技術(shù)、無(wú)極調(diào)速技術(shù)、變頻調(diào)速技術(shù)、自動(dòng)化控制技術(shù)研究和應(yīng)用人員閱讀,也可供高等學(xué)校電力電子專業(yè)的師生參考。

書籍目錄

第1章 同步整流式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用   1.1 ADP3412   1.2 ADP3416   1.3 ADP3419   1.4 APW1175   1.5 APW7037/A/B   1.6 APW7057   1.7 APW7058   1.8 APW7060   1.9 APW7061   1.10 APW7062A/B   1.11 APW7063   1.12 APW7065/A/C   1.13 APW7066   1.14 APW7068   1.15 APW7073   1.16 APW7074   1.17 APW7088   1.18 APW7095/A   1.19 APW7098  1.20 APW7116   1.21 APW7120A   1.22 FAN3223/FAN3224/FAN3225   1.23 FAN3226/FAN3227/FAN3228/FAN3229   1.24 FAN5009   1.25 FAN5026   1.26 FAN5068   1.27 FAN5069   1.28 FAN5078   1.29 FAN5099   1.30 FAN5109/FAN5109B   1.31 FAN5232   1.32 FAN5234   1.33 FAN5236   1.34 FAN6520A/B   1.35 FDMF6700   1.36 FDMF8700   1.37 FDMF8704   1.38 FDMF8704V   1.39 FDMF8705   1.40 HIP6601B/HIP6603B/HIP6604B   1.41 HIP6602/HIP6602B   1.42 ICL7667   1.43 ISL6207   1.44 ISL6208/ISL6208A   1.45 ISL6209 第2章 雙端輸出式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用   2.1 FAN4803   2.2 IR2010/S   2.3 IR2011/S   2.4 IR2101/S、IR2102/S   2.5 IR2106/S、IR21064/S   2.6 IR2110/S/-1/-2、IR2113/S/-1/-2   2.7 IR2112/S/-1/-2   2.8 IR2213/S   2.9 IR2301/S   2.10 IR4426/S、IR4427/S、IR4428/S   2.11 IRS2001/S   2.12 IRS2011/S   2.13 IRS2101/S 第3章 半橋式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用   3.1 FAN7380   3.2 FAN7382   3.3 FAN7383   3.4 FAN7384   3.5 FAN7385   3.6 FAN7842   3.7 FAN73832   3.8 HIP2100   3.9 HIP2101   3.10 IR53H(D)420   3.11 IR2085S 258  3.12 IR2103/S、IRS2103/S   3.13 IR2104/S、IRS2104/S   3.14 IR2105/S   3.15 IR2108/4/S、IRS2108/4/S   3.16 IR2109/4/S、IRS2109/4/S   3.17 IR2111/S 282  3.18 IR2114SS/IR21141SS、IR2214SS/IR22141SS   3.19 IR2153/D/S   3.20 IR2155   3.21 IR2183/4/S、IRS2183/4/S   3.22 IR2184/4/S、IRS2184/4/S 第4章 推挽式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用   4.1 MAX5075   4.2 MAX5077   4.3 SG1644/SG2644/SG3644   4.4 UCC28089 參考文獻(xiàn) 

章節(jié)摘錄

  1.主要性能 ?。?)芯片內(nèi)部高靈活性的雙路同步式PWM控制器所包含的模式為:可以減小通道之間干擾的同相工作的DDR模式、可以減小輸入紋波的具有90相移的兩級(jí)DDR模式和兩路具有180相移的相互獨(dú)立的穩(wěn)壓器?! 。?)完整的DDR記憶電源包括:VIT跟蹤VDDQ/2和通過(guò)緩沖的VDDQ/2基準(zhǔn)源輸出?! 。?)在低端MOSFET功率開(kāi)關(guān)上進(jìn)行低損耗的電流采樣或使用采樣電阻進(jìn)行精密電流采樣?! 。?)具有輸入電源電壓欠壓封鎖功能?! 。?)輸入電源電壓范圍為3~16V?! 。?)由于采用了正反饋和平均電流工作模式,因此具有非??斓碾妷簞?dòng)態(tài)響應(yīng)?! 。?)具有電源電壓正常檢測(cè)輸出信號(hào),并適應(yīng)于DDR.II和HSTL?! 。?)具有非常節(jié)省空間的TSSOP-28型封裝形式?! 。?)可獲得工作環(huán)境溫度范圍為-40~85℃的工業(yè)級(jí)產(chǎn)品系列?! ?.應(yīng)用領(lǐng)域 ?。?)DDR VDDO和VIT電壓發(fā)生器.  (2)臺(tái)式計(jì)算機(jī)電源?! 。?)繪圖卡電源?! ?.技術(shù)參數(shù)

編輯推薦

  《MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》將開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源、功率因數(shù)校正、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理方面的:MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯集于一體,而且將作者20多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)融入到《MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》中的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例的有關(guān)章節(jié)中,希望能使讀者應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)集成電路設(shè)計(jì)出較為實(shí)用的應(yīng)用電路。

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用戶評(píng)論 (總計(jì)9條)

 
 

  •   內(nèi)容挺全面,
  •   我也覺(jué)得像datasheet,買錯(cuò)了書,哎
  •   很有價(jià)值,一本DATASHEET全書
  •   MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用,只是一些DATASHEET介紹,很多沒(méi)有寫到應(yīng)用,有些DATASHEET和廠家給的參數(shù)還有差異不知為什么?如IR2153里有一個(gè)ZENER書上的是15。4V而廠家的是15。6V
  •   買回來(lái)也沒(méi)有怎么看 因?yàn)榕c我實(shí)際用的相關(guān)很少 我是做開(kāi)關(guān)電源的
  •   內(nèi)容是一些芯片的說(shuō)明資料
  •   不錯(cuò),就是送貨時(shí)間上有點(diǎn)誤解
  •   個(gè)人認(rèn)為這本書就是把芯片資料收集翻譯一下,對(duì)MOSFET/IGBT的驅(qū)動(dòng)講得不深。有點(diǎn)失望了
  •   這本書買回后發(fā)現(xiàn)對(duì)我本人沒(méi)有多大價(jià)值,因?yàn)闀膬?nèi)容是國(guó)外一些器件資料的翻譯,并且一些細(xì)節(jié)的并沒(méi)有翻譯過(guò)來(lái)。總之,買這本書不如去芯片生產(chǎn)廠家下載一些資料。
 

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