出版時間:2011-5 出版社:國防工業(yè)出版社 作者:陸利忠 等 著 頁數(shù):278
內(nèi)容概要
《現(xiàn)代電子線路基礎(chǔ)學習指導(dǎo)》是為適應(yīng)電子線路課程教學并結(jié)合《現(xiàn)代電子線路基礎(chǔ)》教材而編寫的輔導(dǎo)材料,目的是幫助讀者更好地理解和掌握電子線路的基本概念和分析方法,并擴充知識面?! 冬F(xiàn)代電子線路基礎(chǔ)學習指導(dǎo)》各章內(nèi)容與《現(xiàn)代電子線路基礎(chǔ)》教材相對應(yīng)。包含“內(nèi)容特點和學習指導(dǎo)”、“內(nèi)容要點”、“內(nèi)容擴展”、“解題示例和仿真”和“自檢練習”等內(nèi)容。知識點覆蓋比較全面,解題示例類型豐富,各例均有知識要點點評。自檢練習分A、B兩卷并有答案,難易程度適中,便于自學。 《現(xiàn)代電子線路基礎(chǔ)學習指導(dǎo)》既可與《現(xiàn)代電子線路基礎(chǔ)》教材配套使用,也可作為高等學校通信、電子信息工程等專業(yè)電子線路課程的教學參考書。
書籍目錄
第1章 半導(dǎo)體器件和組件1.1 內(nèi)容特點和學習指導(dǎo)1.1.1 內(nèi)容結(jié)構(gòu) 1.1.2 重點難點 1.1.3 學習指導(dǎo) 1.2 內(nèi)容要點1.2.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.2.2 PN結(jié)和二極管1.2.3 雙極型晶體管1.2.4 場效應(yīng)晶體管1.2.5 集成運算放大器組件1.3 內(nèi)容擴展1.3.1 晶體管中的ICBO和ICEO1.3.2 工程上飽和壓降VCES=0.3V的來歷1.3.3 硅光電池1.3.4單結(jié)晶體管1.3.5 晶閘管(可控硅)1.3.6 功率MOS管1.4 解題示例和仿真1.4.1 二極管及其應(yīng)用1.4.2 雙極型晶體管1.4.3 場效應(yīng)晶體管1.4.4 運算放大器組件1.5 自檢練習1.5.1 A卷和答案1.5.2 B卷和答案第2章 信號放大器基礎(chǔ)2.1 內(nèi)容特點和學習指導(dǎo)2.1.1 內(nèi)容結(jié)構(gòu)2.1.2 重點難點2.1.3 學習指導(dǎo)2.2 內(nèi)容要點2.2.1 放大器的概念和主要性能指標 2.2.2 晶體管放大器2.2.3 差分放大器2.2.4 放大器的頻率特性2.2.5 負反饋放大器2.3 內(nèi)容擴展2.3.1 放大器的功率關(guān)系2.3.2 多級放大器及其通頻帶計算 2.3.3 放大器的瞬態(tài)響應(yīng)2.3.4 負反饋放大器的穩(wěn)定性2.3.5 有內(nèi)部反饋時放大器的輸入/輸出電阻2.4 解題示例和仿真2.4.1 放大器的正確組成2.4.2 放大器的靜態(tài)工作點計算2.4.3 放大器的指標計算2.4.4 放大器的頻率特性2.4.5 負反饋放大器2.5 自檢練習2.5.1 A卷和答案2.5.2 B卷和答案第3章 模擬集成電路基礎(chǔ) 3.1 內(nèi)容特點和學習指導(dǎo)3.1.1 內(nèi)容結(jié)構(gòu)3.1.2 重點難點3.1.3 學習指導(dǎo)3.2 內(nèi)容要點3.2.1 雙極型晶體管集成運放3.2.2 MOS電流鏡3.2.3 現(xiàn)代模擬集成電路技術(shù)和新型運算放大器3.2.4 運放的頻率特性及大信號運用 3.2.5 集成運算放大器的主要特性參數(shù) 3.2.6 集成模擬乘法器3.3 內(nèi)容擴展3.3.1 集成電路的工藝知識3.3.2 集成電路中的元件3.4 解題示例和仿真3.4.1 雙極型晶體管集成運放3.4.2 CMOS集成運算放大器3.4.3 現(xiàn)代模擬集成電路技術(shù)和新型運算放大器第4章 集成運算放大器應(yīng)用第5章 功率電子電路第6章 通信電子電路第7章 傳感器與信號處理電路第8章 數(shù)字和模擬混合電路參考文獻
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