半導(dǎo)體概論

內(nèi)容概要

　　《半導(dǎo)體概論》從工程應(yīng)用的角度，濃縮半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件的基本內(nèi)容，介紹半導(dǎo)體及其器件的基本原理，介紹各種主要半導(dǎo)體材料的基本特性、制備方法及其應(yīng)用，特別注意反映半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)發(fā)展前沿的動(dòng)態(tài)及最新成果。主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體物理與器件概論，半導(dǎo)體材料概論，半導(dǎo)體材料的制備方法，半導(dǎo)體雜質(zhì)工程與能帶工程，寬禁帶半導(dǎo)體，以及半導(dǎo)體照明等?！　　峨娮有畔⑴c電氣學(xué)科規(guī)劃教材：半導(dǎo)體概論》可作為普通高等院校本科電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)和微電子學(xué)專業(yè)“半導(dǎo)體材料”課程和材料科學(xué)與工程學(xué)科研究生“半導(dǎo)體概論”課程以及相關(guān)領(lǐng)域工程碩士課程的教科書(shū)，也可作為相關(guān)學(xué)科研究生“光電子技術(shù)”等課程的教學(xué)參考書(shū)或補(bǔ)充教材，更可供在半導(dǎo)體器件與微電子技術(shù)領(lǐng)域、材料科學(xué)與工程領(lǐng)域、微機(jī)電領(lǐng)域以及應(yīng)用物理等領(lǐng)域從事研究和開(kāi)發(fā)工作的研究人員和工程技術(shù)人員參考。

書(shū)籍目錄

半導(dǎo)體科技發(fā)展史概要（代序）參考文獻(xiàn)第1章 半導(dǎo)體物理概論1.1 半導(dǎo)體中電子的能量狀態(tài)1.1.1 能帶理論1.1.2 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1.1.3 半導(dǎo)體中的載流子1.1.4 載流子的有效質(zhì)量1.2 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性1.2.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和半導(dǎo)體的電導(dǎo)率1.2.2 半導(dǎo)體中的載流子統(tǒng)計(jì)1.2.3 散射與載流予的遷移率1.2.4 半導(dǎo)體電阻率的溫度特性1.3 半導(dǎo)體中的額外載流予1.3.1 額外載流子的產(chǎn)生與復(fù)合1.3.2 額外載流子的運(yùn)動(dòng)1.4 半導(dǎo)體應(yīng)用基礎(chǔ)1.4.1 半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)1.4.2 半導(dǎo)體pn結(jié)原理1.4.3 金屬一半導(dǎo)體接觸原理1.4.4 MOS柵原理1.4.5 半導(dǎo)體光電子學(xué)原理參考文獻(xiàn)第2章 半導(dǎo)體材料概述2.1 半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)與分類2.1.1 元素的電負(fù)性與原子的結(jié)合2.1.2 共價(jià)結(jié)合與正四面體結(jié)構(gòu)2.1.3 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)2.1.4 化合物半導(dǎo)體的極性2.2 元素半導(dǎo)體2.2.1 硒（Se）2.2.2 三種具有半導(dǎo)體特征的結(jié)晶碳2.2.3 灰錫（a-Sn）2.2.4 鍺（Ge）2.2.5 硅（Si）2.2.6 其他元素半導(dǎo)體2.3 化合物半導(dǎo)體2.3.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物2.3.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物2.3.3 氧化物半導(dǎo)體2.3.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物2.3.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物2.3.6 其他化合物半導(dǎo)體2.3.7 半導(dǎo)體固溶體2.4 有機(jī)半導(dǎo)體2.5 非晶半導(dǎo)體2.5.1 非晶體結(jié)構(gòu)與制備原理2.5.2 非晶半導(dǎo)體的電子態(tài)2.5.3 非晶半導(dǎo)體的輸運(yùn)性質(zhì)2.5.4 非晶半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)2.5.5 非晶半導(dǎo)體種類及其應(yīng)用2.6 精細(xì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體2.6.1 微晶和納米晶2.6.2 半導(dǎo)體超品格2.7 磁性及超導(dǎo)半導(dǎo)體參考文獻(xiàn)第3章 半導(dǎo)體材料制備概述3.1 半導(dǎo)體材料制備的理論基礎(chǔ)3.1.1 相圖3.1.2 區(qū)熔提純?cè)?.1.3 晶體生長(zhǎng)原理3.2 晶體生長(zhǎng)技術(shù)3.2.1 布里奇曼法（BIidgman）3.2.2　直拉法（czochralski，簡(jiǎn)稱cz）3.2.3　區(qū)熔法（Floating Zone，簡(jiǎn)稱FZ）3.2.4 升華法3.3半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)與淀積3.3.1 外延生長(zhǎng)3.3.2 半導(dǎo)體薄膜的其他制備方法參考文獻(xiàn)第4章 雜質(zhì)工程和能帶工程4.1 常規(guī)摻雜……第5章 寬禁帶半導(dǎo)體第6章 半導(dǎo)體照明

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