微電子專業(yè)英語

前言

　　當(dāng)今世界處于國際化、信息化時代，科技的不斷發(fā)展和國際化趨勢對科技人才英語的要求越來越高。開設(shè)專業(yè)英語的目的是為了強(qiáng)化和鞏固基礎(chǔ)英語并進(jìn)行實(shí)踐應(yīng)用，從而掌握科技英語技能，方便國際交流，了解國內(nèi)外最前沿的專業(yè)動態(tài)?！　”菊n程的教學(xué)對象是微電子專業(yè)的高職高專學(xué)生。入學(xué)時，由于經(jīng)過中學(xué)6年的英語學(xué)習(xí)，學(xué)生應(yīng)已經(jīng)掌握了基本的英語語法知識和一定數(shù)量的單詞，并在聽、說、讀、寫等方面受過初步的訓(xùn)練。在本課程之前，由于已上過“半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)”、“微電子概論”、“微電子工藝”、“集成電路設(shè)計(jì)”等相關(guān)課程，學(xué)生應(yīng)該已經(jīng)具備一定的專業(yè)知識并能較好地進(jìn)行微電子專業(yè)英語的學(xué)習(xí)。本書共分為六章。第一章為History，第二章為chip，第三章為Technology，第四章為Encapulation＆Testing，第五章為Equipment，第六章為Business writing。建議本課程的授課時數(shù)為32-64學(xué)時?！　”緯沙Ｖ菪畔⒙殬I(yè)技術(shù)學(xué)院的張紅老師擔(dān)任主編，負(fù)責(zé)第二章和第六章內(nèi)容的編寫及本書所有章節(jié)的安排和統(tǒng)稿；無錫商業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院的吳建軍老師擔(dān)任副主編，負(fù)責(zé)第四章內(nèi)容的編寫；此外，淮安信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院的張樓英老師也擔(dān)任副主編，與淮安信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院的趙安邦老師負(fù)責(zé)第三章內(nèi)容的編寫；大連職業(yè)技術(shù)學(xué)院的王秋菊老師負(fù)責(zé)第一章內(nèi)容的編寫；南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院的趙麗芳老師負(fù)責(zé)第五章第4單元內(nèi)容的編寫；重慶信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院的劉新老師負(fù)責(zé)第五章第1-3單元內(nèi)容的編寫。本書由中電集團(tuán)第24研究所的劉濤工程師任主審。大連職業(yè)技術(shù)學(xué)院的孟祥忠老師和北京郵電大學(xué)的張官興同學(xué)為本書搜集了很多的資料，給予了很多幫助。在此，對于所有幫助過我們的老師和同學(xué)表示最誠摯的感謝！　　由于受到時間和水平的限制，本書難免存在許多不足之處，敬請尊敬的專家、老師、同學(xué)和讀者們批評指正。

內(nèi)容概要

本書的教學(xué)對象是微電子專業(yè)的高職高專學(xué)生。先導(dǎo)課程有“半導(dǎo)體器件‘物理基礎(chǔ)”、“微電子概論”、“微電子工藝”、“集成電路設(shè)計(jì)”，經(jīng)過這些課程的學(xué)習(xí)，學(xué)生應(yīng)該已經(jīng)具備一定的專業(yè)知識并能較好地進(jìn)行微電子專業(yè)英語的學(xué)習(xí)。    本書共分為六章。第一章為History，第二章為Chip，第三章為Technology，第四章為Encapsulation&Testing，第五章為Equipment，第六章為Business Writing。最后還介紹了簡歷及論文摘要的撰寫方法，讓學(xué)生對本行業(yè)的專業(yè)英語有個全面的認(rèn)識。建議本課程的授課時數(shù)為32～64學(xué)時。    其他專業(yè)的讀者也可通過對本書的學(xué)習(xí)對微電子專業(yè)有所了解，既學(xué)習(xí)了英語，又開闊了知識面。    為方便教學(xué)，本書備有免費(fèi)電子課件，凡選用本書作為授課教材的學(xué)校和教師均可來電索取，咨詢電話：010—88379375。

書籍目錄

前言Chapter 1  HistoryChapter 2  ChipChapter 3  TechnologyChapter 4  Encapsulation&TestingChapter 5  EquipmentChapter 6  Business WritingAppendix  部分參考譯文及練習(xí)答案第一章  歷史  第一單元    A.課文    仙童公司的第一只晶體管    B.閱讀  第二單元    A.課文    邏輯電路的歷史    B.閱讀  第三單元    A.課文    Wanlass的收獲    B.閱讀第二章  芯片  第一單元    A.課文    LM741運(yùn)算放大器    B.閱讀  第二單元    A.課文    DM74LSl38·DM74LSl39譯碼器／多路輸出選擇器    B.閱讀  第三單元    A.課文    低功耗、8通道、串行10位ADC    偽差分輸入    采樣／保持    B.閱讀第三章  工藝  第一單元    A.課文    半導(dǎo)體制造過程中的離子注入工藝    蒙特卡羅法模擬離子注入    B.閱讀  第二單元    A.課文    熱氧化    B.閱讀第四章  封裝與測試  第一單元    A.課文    組裝與封裝    B.閱讀  第二單元    A.課文    先進(jìn)的封裝因素    B.閱讀第五章  設(shè)備  第一單元    A.課文    半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備    外延反應(yīng)設(shè)備    氧化系統(tǒng)    擴(kuò)散系統(tǒng)    離子注入系統(tǒng)    物理氣相淀積系統(tǒng)    化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)    光刻設(shè)備    刻蝕設(shè)備    B.閱讀  第二單元    A.課文    半導(dǎo)體封裝設(shè)備    B.閱讀  第三單元    A.課文    化學(xué)機(jī)械平坦化設(shè)備    B.閱讀  第四單元    A.課文    離子注入機(jī)的基本結(jié)構(gòu)    離子注入機(jī)類型    B.閱讀第六章  應(yīng)用文  第一單元    A.課文    論文摘要    B.閱讀  第二單元    A.課文    如何撰寫簡歷及自薦信    B.閱讀參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　The Development of Fairchild　　By the end of 1960， Fairchild Semiconductor employed 1550 employees. Thanks to Ed Bald-win, Fairchild had a state-of-the-art new facility completed in August 1959 and expanded in 1960,with total area of 108,000 sq. ft. at 545 Whisman Road in Mountain View. The facility in San Rafael had about 55,000 sq. ft. and the facility in Palo Alto had 56-,O00sq. Ft. The major problemwas to find a qualified labor force. At that time Fairchild Semiconductor was hiring almost indiscriminately.　　The company was growing significantly, and as always, the growth brings problems. Transfer from the development facility in Palo Alto to manufacturing facilities was slow and difficult, and management needed to solve many problems which may be tougher than technical ones. For example,in December 1960, Eugene Kleiner asked Gordon Moore to solve a problem when the staff in Palo Altowas accusing people from Mountain View of taking Palo Altos supplies of paper and pencils.　　When Charles E. Sporck arrived as a new Production Manager in October 1959, he noticed that Fairchild had "no structured manufacturing organization". The Fairchild Research and Developmentwas in the same situation. At the end of 1959, Gordon Moore ran the Chemistry Section with Bernard Rabinovitch （surface characterization）, Worden Waring （packaging）, Paul Ignacz （electro-chemical） and Bernard Yurash （analytical services）. In the Physics Section were C.T. Sah, D.A.Tremere （ tunnel diode）, B.D. James and Fred Schulenberger （ Aluminum Alloying）, Otto Leisti-ko, A. P. Halle （ vacuum deposition of SiO （ not SiO2 ！ ）, TomBurke and Phillip S. Flint （ mesatransistor）, O.V. Hatcher （low capacitance diode）, C.A. Lasch, E. W.Okeefe （diffusion aridfurnace operation）, Sheldon Roberts and L. Lynn （material research）. The members of the transistor Development Sections were M.　Weissenstern, S.　Levine, Garry Parker, R.　Brown, P.James, R. Craig, Dave Allison and B. Bently. Victor H. Grinich was running the Engineering Department and the Device and Reliability Evaluation Department. After Ed Baldwins defection, BobNoyce became the General Manager and Vice-President. Julius Blank was running Fairchild Fgcili-ty, and Eugene Kleiner was running business operations in the Mountain View Facility. Jay Last and Jean Hoerni were in the companys shadow. Jay was working on the parametric diode and integratedcircuits and Jean was preoccupied with production of planar devices in Mountain View.

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