出版時(shí)間:2004-10-1 出版社:電子工業(yè)出版社 作者:吳建輝 頁(yè)數(shù):364 字?jǐn)?shù):601600
內(nèi)容概要
本書(shū)分析了CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)理論與技術(shù),全書(shū)由18章組成。從CMOS集成電路的工藝著手,介紹了CMOS模擬集成電路的基礎(chǔ),即MOS器件物理以及高階效應(yīng),然后分別介紹了模擬集成電路中的各種電路模塊:基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電壓源、開(kāi)關(guān)電容電路、集成電壓比較器、數(shù)/模轉(zhuǎn)換與模/數(shù)轉(zhuǎn)換以及振蕩器與鎖相環(huán)等。另外,在第6章、第7章與第10章中還特別介紹了CMOS模擬集成電路的頻率響應(yīng)、穩(wěn)定性、運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償及其反饋電路特性,在第8章與第12章中還分析了噪聲與非線性。 本書(shū)作為CMOS模擬集成電路的教材,可供本科生高年級(jí)與研究生使用,也可供從事相關(guān)專業(yè)的技術(shù)人員參考。
書(shū)籍目錄
第1章 CMOS集成電路制造工藝 1.1 基本的制造工藝過(guò)程 1.1.1 襯底材料的制備 1.1.2 光刻 1.1.3 刻蝕 1.1.4 摻雜、擴(kuò)散 1.1.5 化學(xué)氣相淀積 1.2 雙阱CMOS工藝的主要流程 1.3 高壓CMOS器件及高低壓兼容工藝 1.3.1 高壓CMOS器件 1.3.2 高低壓兼容CMOS工藝 1.3.3 高壓PMOS的厚柵氧刻蝕 1.3.4 高低壓之間的隔離第2章 基本MOS器件物理 2.1 有源器件 2.1.1 MOS晶體管結(jié)構(gòu)與幾何參數(shù) 2.1.2 MOS管的工作原理及表示符號(hào) 2.1.3 MOS管的高頻小信號(hào)電容 2.1.4 MOS管的電特性 2.1.5 二階效應(yīng) 2.1.6 MOS管交流小信號(hào)模型 2.1.7 有源電阻 2.2 無(wú)源器件 2.2.1 電阻 2.2.2 電容 2.3 短溝道效應(yīng) 2.3.1 按比例縮小 2.3.2 短溝道效應(yīng) 2.4 MOS器件模型第3章 單級(jí)放大器 3.1 共源放大器 3.1.1 無(wú)源負(fù)載共源放大器 3.1.2 有源器件作為負(fù)載 3.2 源極跟隨器 3.2.1 電阻負(fù)載源極跟隨器 3.2.2 電流源負(fù)載源極跟隨器 3.3 共柵放大器 3.4 共源共柵極(級(jí)聯(lián)級(jí)) 3.5 折疊式級(jí)聯(lián)第4章 恒流源電路 4.1 基本電流鏡結(jié)構(gòu) 4.2 威爾遜電流源 4.3 共源共柵電流源——高輸出阻抗恒流源 4.4 低壓共源共柵結(jié)構(gòu)——常數(shù)Vb的偏置 4.5 高輸出阻抗、高輸出擺幅的恒流源 4.6 高電源抑制比的電流源 4.6.1 CMOS峰值電流源 4.6.2 恒定跨導(dǎo)電流源第5章 差分放大器 5.1 概述 5.2 基本差分對(duì) 5.2.1 電路結(jié)構(gòu) 5.2.2 差分對(duì)的共模輸入及輸出壓擺 5.2.3 差分對(duì)的差分工作 5.3 以MOS管作為負(fù)載的差分放大器 5.4 CMOS差分放大器 5.4.1 工作原理 5.4.2 電路分析 5.4.3 CMOS差分放大器的主要性能 5.5 模擬乘法器 5.5.1 模擬乘法器設(shè)計(jì)方法 5.5.2 直接利用雙差分結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)第6章 放大器的頻率響應(yīng)第7章 反饋第8章 噪聲第9章 運(yùn)算放大器第10章 運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償?shù)?1章 開(kāi)關(guān)電容電路第12章 放大器的非線性失真第13章 基準(zhǔn)電壓源第14章 集成電壓比較器第15章 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器第16章 振蕩器與鎖相環(huán)第17章 版圖設(shè)計(jì)技術(shù)第18章 工程設(shè)計(jì)參考文獻(xiàn)
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