出版時(shí)間:2003年01月 出版社:電子工業(yè)出版社 作者:Campbell 頁(yè)數(shù):611 字?jǐn)?shù):1018000 譯者:曾瑩
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內(nèi)容概要
本書系統(tǒng)地介紹了微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù),覆蓋了集成電路制造所涉及的所有基本單項(xiàng)工藝,包括光刻、等離子體和反應(yīng)離子刻蝕、離子注入、擴(kuò)散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長(zhǎng)、濺射和化學(xué)氣相淀積等。對(duì)每一種單項(xiàng)工藝,不僅介紹了它的物理和化學(xué)原理,還描述了用于集成電路制造的工藝設(shè)備。本書還介紹了各種先進(jìn)的工藝技術(shù),如快速熱處理、下一代光刻、分子束外延和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積等。在此基礎(chǔ)上本書討論了如何將這些單項(xiàng)工藝集成為各種常見的集成電路工藝技術(shù),如CMOS技術(shù)、雙極型技術(shù)和砷化鎵技術(shù),還介紹了微電子制造的新領(lǐng)域,即微機(jī)械電子系統(tǒng)及其工藝技術(shù)。 本書可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書或參考書,也可供與集成電路制造工藝技術(shù)有關(guān)的專業(yè)技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。
作者簡(jiǎn)介
Stephen A. Campbell:明尼蘇達(dá)大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系教授兼明尼蘇達(dá)大學(xué)微技術(shù)實(shí)驗(yàn)室主任。無(wú)論是在工業(yè)界還是在大學(xué)實(shí)驗(yàn)室,他的斗導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域都有著廣泛的經(jīng)驗(yàn)。他的研究領(lǐng)域主要包括快速熱化學(xué)氣相淀積、高性能柵介質(zhì)、磁MEMS和納米結(jié)構(gòu)等。
書籍目錄
第1篇 綜述與題材 第1章 微電子制造引論 第2章 半導(dǎo)體襯底第2篇 單項(xiàng)工藝I:熱處理和離子注入 第3章 擴(kuò)散 第4章 熱氧化 第5章 離子注入 第6章 快速熱處理第3篇 單項(xiàng)工藝2:圖形轉(zhuǎn)移 第7章 光學(xué)光刻 第8章 光刻膠 第9章 非光學(xué)光刻技術(shù) 第10章 真空科學(xué)和等離子體 第11章 刻蝕第4篇 單項(xiàng)工藝3:薄膜 第12章 物理淀積:蒸發(fā)和濺射 第13章 化學(xué)氣相淀積 第14章 外延生長(zhǎng)第5篇 工 藝 集 成 第15章 器件隔離、接觸和金屬化 第16章 CMOS技術(shù) 第17章 GaAs工藝技術(shù) 第18章 硅雙極型工藝技術(shù) 第19章 微機(jī)電系統(tǒng) 第20章 集成電路制造附錄A 縮寫與通用符號(hào) 附錄B 部分半導(dǎo)體材料性質(zhì) 附錄C 物理常數(shù)附錄D 單位轉(zhuǎn)換因子 附錄E 誤差函數(shù)的一些性質(zhì) 附錄F F數(shù) 附錄G SUPREM指令
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