先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

內(nèi)容概要

本書(shū)深入介紹了先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)與發(fā)展，論述全面，涵蓋了近年來(lái)的新技術(shù)成果。書(shū)中講解了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)、高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、專用DRAM的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)，先進(jìn)的不揮發(fā)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和技術(shù)、嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，以及未來(lái)存儲(chǔ)器的發(fā)展方向等。DRAM作為新一代半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)的推動(dòng)者，除用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域之外，還用于汽車、航空、航天、電信以及無(wú)線工業(yè)等領(lǐng)域。近年來(lái)，新一代高容量、高性能的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)得到了進(jìn)一步發(fā)展，包括嵌入式存儲(chǔ)器和不揮發(fā)快閃存儲(chǔ)器在內(nèi)的大容量存儲(chǔ)設(shè)備得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。    本書(shū)適合作為大學(xué)微電子專業(yè)高年級(jí)本科生及研究生的教材，也可作為從事半導(dǎo)體制造與研究的工作人員的參考用書(shū)。

書(shū)籍目錄

第1章 先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器引論  1.1  半導(dǎo)體存儲(chǔ)器綜述  1.2  先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展  1.3  將來(lái)存儲(chǔ)器的發(fā)展方向  參考文獻(xiàn)第2章  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)  2.1  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和單元結(jié)構(gòu)  2.2  選擇SRAM時(shí)的考慮因素  2.3  高性能的SRAM  2.4  先進(jìn)的SRAM結(jié)構(gòu)  2.5  低壓SRAM  2.6  BiCMOS工藝的SRAM  2.7  SOI SRAM  2.8  特種SRAM  參考文獻(xiàn)第3章  高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器   3.1  動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)  3.2  DRAM時(shí)序規(guī)范和操作  3.3  擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(EDO DRAM)  3.4  增強(qiáng)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（EDRAM）  3.5  同步的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器/圖像隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)  3.6  增強(qiáng)式同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ESDRAM）  3.7  高速緩存動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（CDRAM）  3.8  虛擬通道存儲(chǔ)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（VCM DRAM ）  3.9  先進(jìn)的DRAM工藝技術(shù)展望  3.10  千兆位DRAM等比例縮小問(wèn)題和結(jié)構(gòu)  3.11  多電平存儲(chǔ)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MLDRAM）  3.12  絕緣體基外延硅動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SOI DRAM）  參考文獻(xiàn)第4章  專用DRAM結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)  4.1  視頻RAM（VRAM）  4.2  同步顯存（SGRAM）  4.3  Rambus技術(shù)概述  4.4  同步鏈接DRAM（SLDRAM）  4.5  3-D RAM  4.6  存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路  參考文獻(xiàn)第5章  先進(jìn)的不揮發(fā)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)與技術(shù)  5.1  不揮發(fā)存儲(chǔ)器進(jìn)展  5.2  浮柵單元工作原理和操作  5.3  不揮發(fā)存儲(chǔ)器單元和陣列設(shè)計(jì)  5.4  快閃存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)  5.5  多電平不揮發(fā)存儲(chǔ)器  5.6  快閃存儲(chǔ)器的可靠性問(wèn)題  5.7  鐵電存儲(chǔ)器  參考文獻(xiàn)第6章  嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用  6.1  嵌入式存儲(chǔ)器的發(fā)展  6.2  高速緩沖存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)  6.3  嵌入式SRAM和DRAM的設(shè)計(jì)  6.4  合并處理器的DRAM體系結(jié)構(gòu)  6.5  采用嵌入式邏輯體系結(jié)構(gòu)的DRAM工藝  6.6  嵌入式EEPROM和flash存儲(chǔ)器  6.7  存儲(chǔ)器卡及其多媒體應(yīng)用  參考文獻(xiàn)第7章  未來(lái)的存儲(chǔ)器方向：兆字節(jié)到兆兆字節(jié)  7.1  將來(lái)的存儲(chǔ)器發(fā)展  7.2  磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）  7.3  諧振隧道二極管為基的存儲(chǔ)器  7.4  單電子存儲(chǔ)器  7.5  相變非易失性存儲(chǔ)器  7.6  質(zhì)子非易失性存儲(chǔ)器  7.7  其他存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展（例子）  參考文獻(xiàn)

媒體關(guān)注與評(píng)論

　　DRAM作為新一代高容量半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)的推動(dòng)者，除用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域外，還廣泛用于汽車、航空、軍事和航天、電信以及無(wú)線工業(yè)等領(lǐng)域。近年來(lái)，新一代高容量、高性能的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)得到了進(jìn)一步發(fā)展，包括嵌入式存儲(chǔ)器和不揮發(fā)快閃存儲(chǔ)器在內(nèi)的大容量存儲(chǔ)設(shè)備得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用?！　”緯?shū)深入介紹了先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)與發(fā)展，內(nèi)容詳盡而新穎，具體包括：　　● 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)，涉及先進(jìn)的體系結(jié)構(gòu)、低壓SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及專用SRAM（多端口、FIFO、CAM等）　　● 高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)——DDR、同步DRAM／SGRAM的特性和體系結(jié)構(gòu)、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例縮小問(wèn)題及其體系結(jié)構(gòu)、多電平存儲(chǔ)DRAM和SOl DRAM等　　● 專用DRAM的體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三維RAM等　　● 先進(jìn)不揮發(fā)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和技術(shù)，包括浮柵單元理論、EEPROM／快閃存儲(chǔ)器單元設(shè)計(jì)和多電平快閃存儲(chǔ)器等　　● FRAM及其可靠性問(wèn)題　　● 嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，包括高速緩存、合并處理器、DRAM體系結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)卡和多媒體應(yīng)用等　　● 未來(lái)存儲(chǔ)器的發(fā)展方向：采用RTD、單電子存儲(chǔ)器等技術(shù)使存儲(chǔ)容量從兆字節(jié)發(fā)展到兆兆字節(jié)

編輯推薦

　　DRAM作為新一代高容量半導(dǎo)體產(chǎn)品制造技術(shù)的推動(dòng)者，除用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域外，還廣泛用于汽車、航空、軍事和航天、電信以及無(wú)線工業(yè)等領(lǐng)域。近年來(lái)，新一代高容量、高性能的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)得到了進(jìn)一步發(fā)展，包括嵌入式存儲(chǔ)器和不揮發(fā)快閃存儲(chǔ)器在內(nèi)的大容量存儲(chǔ)設(shè)備得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用?！　”緯?shū)深入介紹了先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)與發(fā)展，內(nèi)容詳盡而新穎，具體包括：　　● 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)，涉及先進(jìn)的體系結(jié)構(gòu)、低壓SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及專用SRAM（多端口、FIFO、CAM等）　　● 高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)——DDR、同步DRAM／SGRAM的特性和體系結(jié)構(gòu)、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例縮小問(wèn)題及其體系結(jié)構(gòu)、多電平存儲(chǔ)DRAM和SOl DRAM等　　● 專用DRAM的體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三維RAM等　　● 先進(jìn)不揮發(fā)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和技術(shù)，包括浮柵單元理論、EEPROM／快閃存儲(chǔ)器單元設(shè)計(jì)和多電平快閃存儲(chǔ)器等　　● FRAM及其可靠性問(wèn)題　　● 嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，包括高速緩存、合并處理器、DRAM體系結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)卡和多媒體應(yīng)用等　　● 未來(lái)存儲(chǔ)器的發(fā)展方向：采用RTD、單電子存儲(chǔ)器等技術(shù)使存儲(chǔ)容量從兆字節(jié)發(fā)展到兆兆字節(jié)

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