專用集成電路設計基礎

內容概要

　　全書共八章。第一章為概論；第二章介紹集成電路工藝基礎及版圖設計；第三章介紹MOS集成電路器件基礎；第四章介紹數字集成電路設計基礎；第五章介紹數字集成電路系統(tǒng)設計；第六章介紹模擬集成電路設計基礎；第七章介紹VHDL語言及Verilog
HDL語言；第八章介紹電路設計、性能仿真及版圖設計中的常用EDA軟件工具。
　　本書可用作通信工程、電子信息工程、電氣信息工程和自動化、計算機技術、測控技術與儀器以及電子科學與技術等專業(yè)本科生的教材和教學參考書，也可以供從事集成電路設計的工程人員參考。

書籍目錄

第一章 概論　
　1.1 集成電路的發(fā)展歷程　
　　1.1.1 半導體集成電路的出現與發(fā)展　
　　1.1.2 集成電路發(fā)展的特點
　1.2 專用集成電路設計要求
　　1.2.1 關于“速度”
　　1.2.2 關于“功耗”　
　　1.2.3 關于“價格”　
　1.3 集成電路的分類　
　　1.3.1 按功能分類　
　　1.3.2 按結構形式和材料分類　
　　1.3.3 按有源器件及工藝類型分類　
　　1.3.4 按集成電路的規(guī)模分類
　　1.3.5 按生產目的和實現方法分類　
　1.4 集成電路設計方法　
　　1.4.1 設計方法學的重大變革
　　1.4.2 ASIC設計步驟
　　1.4.3 EDA設計工具的選擇
　　1.4.4 ASIC設計特點和技巧　
第二章 集成電路工藝基礎及版圖設計　
　2.1 引言
　2.2 集成電路制造工藝簡介　
　　2.2.1 氧化工藝
　　2.2.2 摻雜工藝　
　　2.2.3 光刻工藝　
　2.3 版圖設計技術　
　　2.3.1 硅柵MOS工藝簡介　
　　2.3.2 P阱CMOS工藝簡介　
　　2.3.3 雙阱工藝及SOI　CMOS工藝簡介
　　2.3.4 版圖設計規(guī)則
　2.4 電參數設計規(guī)則　
　　2.4.1 電阻值的估算　
　　2.4.2 MOS電容　
第三章 MOS集成電路器件基礎　
　3.1 MOS場效應管(MOSFET)的結構及符號　
　　3.1.1 NMOS管的簡化結構　
　　3.1.2 N阱及PMOS
　　3.1.3 MOS管符號　
　3.2 MOS管的電流電壓特性　
　　3.2.1 MOS管的轉移特性　
　　3.2.2 MOS管的輸出特性
　　3.2.3 MOS管的電流方程
　　3.2.4 MOS管的輸出電阻　
　　3.2.5 MOS管的跨導gm
　　3.2.6 體效應及背柵跨導gmb　
　　3.2.7 場效應管亞閾區(qū)特性　
　　3.2.8 溝道尺寸W、L對閾值電壓U　TH和特征頻率fT的影響　　
　3.3 MOS電容　　
　　3.3.1 用作單片電容器的MOS器件特性　
　　3.3.2 MOS管的極間電容和寄生電容　
　3.4 MOS管的Spice模型參數　　
　3.5 MOS管小信號等效電路　
　　3.5.1 低頻小信號模型　
　　3.5.2 MOS管的高頻小信號等效電路
第四章 數字集成電路設計基礎　
　4.1 MOS開關及CMOS傳輸門　
　　4.1.1 單管MOS開關　
　　4.1.2 CMOS傳輸門　
　4.2 CMOS反相器
　　4.2.1 反相器電路　
　　4.2.2 CMOS反相器功耗　
　　4.2.3 CMOS反相器的直流傳輸特性　
　　4.2.4 CMOS反相器的噪聲容限
　　4.2.5 CMOS反相器的門延遲，級聯及互連線產生的延遲　
　4.3 全互補CMOS集成門電路　
　　4.3.1 CMOS與非門設計　
　　4.3.2 CMOS或非門設計　
　　4.3.3 CMOS與或非門和或與非門設計　
　　4.3.4 CMOS三態(tài)門和鐘控CMOS邏輯電路　
　　4.3.5 CMOS異或門設計　
　　4.3.6 CMOS同或門設計　
　　4.3.7 CMOS數據選擇器
　　4.3.8 布爾函數邏輯——傳輸門的又一應用　　
　　4.3.9 CMOS全加器　
……
第五章 數字集成電路系統(tǒng)設計　
第六章 模擬集成電路設計基礎　
第七章 硬件描述語言簡介　
第八章 常用EDA軟件介紹

圖書封面

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無

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