LED照明設(shè)計與應(yīng)用

內(nèi)容概要

　　《LED照明設(shè)計與應(yīng)用（修訂版）》是一部關(guān)于LED照明的系統(tǒng)讀物，主要由五部分組成，即基礎(chǔ)篇、測試方法篇、設(shè)計指南篇、應(yīng)用篇與資料篇。通過閱讀《LED照明設(shè)計與應(yīng)用（修訂版）》可幫助讀者全方位了解LED的工作原理、測試方法、設(shè)計原理與應(yīng)用等方面的知識，此外《LED照明設(shè)計與應(yīng)用（修訂版）》的資料篇，相信讀者在實(shí)際應(yīng)用時也會有一定的參考價值。《LED照明設(shè)計與應(yīng)用（修訂版）》通過大量的插圖與表格對內(nèi)容進(jìn)行深入淺出的論述，使之達(dá)到了通俗易懂、簡明扼要的效果，非常適合讀者學(xué)習(xí)。

書籍目錄

第1章 基礎(chǔ)篇1.1 LED的歷史1.1.1 砷（As）類的化合物半導(dǎo)體LED——GaAs類的紅外LED及AlGaAs類的紅光LED1.1.2 砷（As）、磷（P）類化合物半導(dǎo)體LED——GaAsP類紅光LED1.1.3（P）類化合物半導(dǎo)體LED——GaP類綠光LED1.1.4 磷（P）類的四元混晶化合物半導(dǎo)體LED——AlGaInP類黃綠光~紅光LED1.1.5 氮（N）類化合物半導(dǎo)體LED——GaN類藍(lán)光LED與綠光LED1.1.6 氮（N）類化合物半導(dǎo)體LED——GaN類白光LED1.2 LED的發(fā)光原理（半導(dǎo)體發(fā)光原理與性質(zhì)）1.2.1 何謂LED（發(fā)光二極管）1.2.2 發(fā)光二極管與白熾燈的差異1.2.3 發(fā)光原理1.2.4 發(fā)光波長的分布1.3 白光的原理1.3.1 何為白光1.3.2 白光LED的實(shí)現(xiàn)方法1.4 LED光源的特點(diǎn)1.4.1 LED與傳統(tǒng)光源的比較1.4.2 光學(xué)特性1.4.3 電氣特性1.4.4 可靠性1.4.5 其他1.5 白光LED器件1.5.1 白光LED器件的構(gòu)造與性能1.5.2 構(gòu)成材料——封裝樹脂1.5.3 構(gòu)成材料——熒光粉1.5.4 構(gòu)成材料——LED芯片1.5.5 構(gòu)成材料——外罩1.6 白光LED器件的制造1.6.1 晶錠生成（單晶制造）1.6.2 單晶晶片制造1.6.3 外延層生長1.6.4 LED芯片制造1.6.5 白光LED器件制造1.7 熱點(diǎn)話題（新技術(shù)介紹）1.7.1 LED用熒光粉1.7.2 GaN襯底LED第2章 測試方法篇2.1 電氣特性的標(biāo)準(zhǔn)和測試方法2.2 光特性的標(biāo)準(zhǔn)與測試方法2.3 溫度特性的標(biāo)準(zhǔn)與測試方法2.4 熱特性的標(biāo)準(zhǔn)與測試方法2.5 壽命的標(biāo)準(zhǔn)與測試方法2.6 可靠性的標(biāo)準(zhǔn)與測試方法2.7 安全性的標(biāo)準(zhǔn)與測試方法附錄 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)與組織一覽表第3章 設(shè)計指南篇3.1 照明燈具的設(shè)計流程3.1.1 照明燈具的要求3.1.2 綜合效率3.1.3 LED芯片的選擇與工作點(diǎn)設(shè)定3.1.4 配光控制方式的選擇3.1.5 電路方式的選擇3.1.6 散熱設(shè)計3.2 光學(xué)設(shè)計3.2.1 概述3.2.2 使用需求的確定3.2.3 LED芯片的選定3.2.4 光學(xué)設(shè)計3.3 電路設(shè)計3.3.1 概述3.3.2 LED基本特性3.3.3 LED驅(qū)動方式3.3.4 亮度控制3.3.5 LED的集成電路3.3.6 電源電路3.3.7 電源系統(tǒng)3.4 可靠性設(shè)計3.4.1 散熱設(shè)計3.4.2 靜電防護(hù)3.5 安全設(shè)計3.5.1 概述3.5.2 安全設(shè)計與法規(guī)3.5.3 具體的安全設(shè)計3.5.4 法律法規(guī)3.5.5 對人體的影響和生物安全性3.5.6 對環(huán)境的影響3.5.7 小結(jié)ⅹ?第4章 應(yīng)用篇4.1 照明領(lǐng)域4.1.1 住宅領(lǐng)域4.1.2 設(shè)施領(lǐng)域4.1.3 店鋪領(lǐng)域4.1.4 外領(lǐng)域4.1.5 效果表現(xiàn)領(lǐng)域4.2 背光領(lǐng)域4.3 道路交通領(lǐng)域4.3.1 LED信號燈4.3.2 隧道標(biāo)識燈4.3.3 路燈4.3.4 步道燈4.3.5 防犯燈4.3.6 庭院燈4.4 移動物體領(lǐng)域4.4.1 汽車4.4.2 火車車廂4.5 標(biāo)識與顯示屏領(lǐng)域4.5.1 標(biāo)識領(lǐng)域4.5.2 彩色顯示屏領(lǐng)域4.6 其他領(lǐng)域第5章 資料篇5.1 用語解釋5.2 LED照明推進(jìn)協(xié)會的活動5.3 主要企業(yè)的技術(shù)與產(chǎn)品信息

章節(jié)摘錄

　　1907年，首次發(fā)現(xiàn)作為研磨劑的碳化硅晶體（SiC）通電后可以發(fā)光的現(xiàn)象。該發(fā)光現(xiàn)象與火光、放電光、黑體輻射不同，是一種固體物質(zhì)通電后發(fā)光的新形態(tài)。這種現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)之后，人們就對SiC和Ⅱ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體的礦物質(zhì)發(fā)光現(xiàn)象展開研究。 　　20世紀(jì)50年代后，隨著半導(dǎo)體知識的不斷積累，以及人工制作發(fā)光結(jié)構(gòu)技術(shù)的不斷提高，人們開始嘗試?yán)冒雽?dǎo)體晶體的發(fā)光現(xiàn)象。1952年人工合成的Ge、Si晶體的pn結(jié)發(fā)光，促成了1954年人工合成GaP晶體發(fā)光的誕生。 　　1.1.1 砷（As）類的化合物半導(dǎo)體LED——GaAs類的紅外LED及AlGaAs類的紅光LED（1，2） 　　1954年從研究GaAs晶體生長開始，針對GaAs襯底的氣相外延生長法（Vapor—phase epitaxy，VPE）和液相外延生長法（liquid—phaseepitaxy，LPE）進(jìn)行了大量的研究。1962年發(fā)表了有關(guān)GaAs紅外LED和紅外激光二極管（laser diode，LD）的研究報告，并在世界上首次銷售GaAs類紅外LED（發(fā)光波長870nm，價格130美元）。隨后在GaAs中摻入微量的Si后，發(fā)現(xiàn)僅改變生長溫度就可以生長出優(yōu)良的pn結(jié)晶體，由此生產(chǎn)出了外部量子效率高達(dá)6％、質(zhì)量很高的GaAs類紅外LED。 　　有關(guān)GaAs中加入Al的三元混晶類的AlGaAs類LED，當(dāng)初把與Al親和力較高的氧氣混合到結(jié)晶中后，雖發(fā)生過不發(fā)光的問題，但自1968年AlGaAs外延膜生長法成功后，便實(shí)現(xiàn)了AlGaAs／GaAs類的高效率紅外LED。該類別的LED作為遙控器、LAN（10cal areanetwork）的光源正在被廣泛地應(yīng)用。 　　1.1.2 砷（As）、磷（P）類化合物半導(dǎo)體LED——GaAsP類紅光LED（1，2） 　　1962年首次實(shí)現(xiàn)了可見光LED，它是通過GaAs襯底上生成GaAsP外延膜而實(shí)現(xiàn)的。1968～1970年由于各公司競相采用LED作為計算器、手表顯示器的光源，因此每隔數(shù)月銷售量便翻倍，創(chuàng)下了驚人的銷售記錄。 　　1.1.3 磷（P）類化合物半導(dǎo)體LED——GaP類綠光LED（1，2） 　　1963年初次實(shí)現(xiàn)了GaP的pn結(jié)紅光LED。不同于直接遷移型的GaAs，GaP是問接型半導(dǎo)體，發(fā)出的光亮度比預(yù)想的要高，這在當(dāng)時還是個謎。1965年，提出由于在GaP中添加雜質(zhì)后，在雜質(zhì)離子的附近電子和空穴易聚集的構(gòu)造。 　　……

編輯推薦

　　《LED照明設(shè)計與應(yīng)用（修訂版）》可作為照明相關(guān)領(lǐng)域的專業(yè)參考書，而且對希望系統(tǒng)全面了解LED照明知識的人士而言，也將是一部不可多得的專業(yè)讀物。

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