硅基納米電子學(xué)

內(nèi)容概要

　　《硅基納米電子學(xué)》內(nèi)容分為兩個(gè)部分。第一部分系統(tǒng)地闡述了納米電子學(xué)的基本概念和理論，主要包括現(xiàn)代集成電路的物理極限和技術(shù)障礙、用于硅基納米器件的主要加工工藝：第二部分介紹新型納米尺度的電子器件，包括共振隧穿器件、單電子器件及其電路、硅納米線(xiàn)及納米線(xiàn)異質(zhì)結(jié)構(gòu)、其他硅基納米電子器件、硅基磁電子學(xué)的研究現(xiàn)狀。全書(shū)強(qiáng)調(diào)新概念、新現(xiàn)象的闡述，以及定性描述與定量理論表述相互結(jié)合?！　”緯?shū)可以作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)、應(yīng)用物理、電子工程和材料科學(xué)等有關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級(jí)學(xué)生及研究生教材，也適于有關(guān)領(lǐng)域的科學(xué)家、工程師及高校師生參考。

書(shū)籍目錄

第1章　硅納米電子學(xué)理論基礎(chǔ) 1.1　Hartree?Fock方程（HF方程） 1.1.1　Hartree近似 1.1.2　Hartree?Fock方程 1.2　格林函數(shù) 1.2.1　泊松方程的格林函數(shù) 1.2.2　鏡像法求格林函數(shù) 1.2.3　應(yīng)用格林函數(shù)計(jì)算納米尺寸電子器件的電學(xué)性能 1.3　CMOS器件中的尺度效應(yīng)和模型 1.3.1　薛定諤?泊松解法解決平衡情況下的器件 1.3.2　連接兩個(gè)費(fèi)米能級(jí)不同的接觸電極下的情況 1.3.3　一維器件的平衡能帶圖 1.3.4　連續(xù)傳輸 1.3.5　非連續(xù)傳輸 第2章　納米電子學(xué)工藝概論 2.1　納米加工技術(shù)概述 2.1.1　概述 2.1.2　采用電子束曝光或電子束刻蝕技術(shù)制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.3　采用聚焦離子束加工技術(shù)制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.4　采用微細(xì)加工技術(shù)制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.5　采用掃描隧道顯微鏡技術(shù)制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.6　納米微晶硅薄膜材料簡(jiǎn)介 2.2　納米工藝 2.2.1　光刻膠 2.2.2　光刻 2.2.3　圖形轉(zhuǎn)移 2.3　納米電子學(xué) 2.3.1　納米器件 2.3.2　納米晶體管設(shè)計(jì) 2.3.3　納米電光學(xué) 2.3.4　物理學(xué)模型和器件仿真 2.3.5　總結(jié) 第3章　硅基隧穿二極管及集成電路 3.1　簡(jiǎn)介 3.2　隧穿理論 3.2.1　隧穿電流的成分 3.2.2　隧穿電流密度 3.2.3　隧穿二極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間 3.3　垂直隧穿二極管的制備 3.3.1　基于上旋擴(kuò)散雜質(zhì)的快速熱擴(kuò)散工藝 3.3.2　上旋擴(kuò)散劑 3.3.3　隧穿二極管制造工藝 3.4　隧穿二極管的特性和集成電路 3.4.1　所制備隧穿二極管的特性 3.4.2　隧穿二極管振蕩器 3.4.3　高速隧穿二極管/傳輸線(xiàn)脈沖發(fā)生器 第4章　單電子器件及其電路 4.1　電導(dǎo)振蕩——Coulomb振蕩現(xiàn)象 4.2　Coulomb阻塞效應(yīng) 4.3　電流偏置下單個(gè)隧道結(jié)的I?V特性 4.4　單電子晶體管（SET）的Coulomb阻塞工作狀態(tài) 4.5　單電子晶體管的ID隨VG的振蕩——Coulomb振蕩4.6　超導(dǎo)態(tài)的Coulomb阻塞效應(yīng) 4.7　單電子靜電計(jì) 4.8　半導(dǎo)體量子點(diǎn)旋轉(zhuǎn)門(mén) 4.9　單電子晶體管（SET） 4.10　單電子晶體管的典型結(jié)構(gòu) 4.11　單電子“類(lèi)CMOS倒相器”4.12　單電子晶體管存儲(chǔ)器4.13　單電子晶體管邏輯電路4.14　量子網(wǎng)絡(luò)自適應(yīng)器件（QCA）第5章　硅納米線(xiàn)及納米線(xiàn)異質(zhì)結(jié)構(gòu) 5.1　簡(jiǎn)介5.2　硅納米線(xiàn) 5.2.1　SiNW的制造方法和結(jié)構(gòu)特征 5.2.2　SiNW的電學(xué)性能 5.3　納米電子學(xué)中SiNW的應(yīng)用5.3.1　相交的納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)和器件5.3.2　基于相交納米線(xiàn)的邏輯門(mén)5.3.3　地址譯碼器5.3.4　在非傳統(tǒng)襯底上的納米線(xiàn)電子學(xué) 5.4　構(gòu)造大規(guī)模層次化SiNW陣列的方法 5.4.1　Langmuir?Blodgett納米線(xiàn)裝配方法 5.4.2　納米線(xiàn)器件的可變尺寸的集成5.4.3　高頻納米線(xiàn)電路 5.5　SiNW作為納米級(jí)傳感器 5.5.1　納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)傳感器 5.5.2　單病毒檢測(cè)5.5.3　單病毒的多級(jí)檢測(cè) 5.6　SiNW異質(zhì)結(jié)構(gòu) 5.6.1　NiSi/SiNW異質(zhì)結(jié) 5.6.2　摻雜濃度調(diào)制的SiNW1 5.6.3　分支和超分支SiNW 第6章　其他硅基納米電子器件 第7章　存儲(chǔ)電阻 參考文獻(xiàn)

圖書(shū)封面

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