鐵電存儲(chǔ)器

內(nèi)容概要

鐵電存儲(chǔ)器是近10余年研究出的一種重量輕、存取速度快、壽命長、功耗低的新型存儲(chǔ)器，有極好的應(yīng)用背景。本書是引領(lǐng)域的第一本專著，內(nèi)容包括鐵電基礎(chǔ)知識(shí)、鐵電存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì)、工藝、檢測、存儲(chǔ)物理有關(guān)的問題（擊穿、漏電流、開關(guān)機(jī)制、疲勞）以及鐵電存儲(chǔ)器件的應(yīng)用。全書引用550篇文獻(xiàn)，概括了2000年之前人類在該領(lǐng)域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本書內(nèi)容新穎、實(shí)用、既有理論又有應(yīng)用（側(cè)重前者）?？晒┘呻娐饭こ處?、器件物理學(xué)家參考，也可作為應(yīng)用物理和工程類專業(yè)高年級(jí)本科生的教學(xué)參考書。

作者簡介

Prof.Scott就學(xué)于美國哈佛大學(xué)和俄贏亥俄州大學(xué)，畢業(yè)后在Bell電話實(shí)驗(yàn)室量子電子部工作了六年。他曾是美國Colorado大學(xué)教授（1971-1992），隨后在澳大利亞墨爾本和悉尼工作七年，任新南威爾士大學(xué)理學(xué)院院長。1999年起他成為英國劍橋大學(xué)鐵性材料研究的教授。
    Scot

書籍目錄

1.導(dǎo)言  1.1  鐵電體的基本性質(zhì):體材料  1.2  鐵電薄膜:退極化場和有限尺寸效應(yīng)2.RAM的基本性質(zhì)  2.1  系統(tǒng)設(shè)計(jì)  2.2  實(shí)際器件  2.3  測試3.DRAM和NV-RAM的電擊穿  3.1  熱擊穿機(jī)制  3.2  Von Hippel方程  3.3  枝晶狀擊穿  3.4  擊穿電壓不對(duì)稱和漏電流不對(duì)稱4.漏電流  4.1  Schottky發(fā)射  4.2  鐵電薄膜Schottky理論的修正  4.3  電荷注人  4.4  空間電荷限制電流BCLC  4.5  負(fù)電阻率5.電容-電壓關(guān)系C(V)  5.1  支持薄耗盡層的方面  5.2  支持完全耗盡薄的論據(jù)  5.3  Zuleeg-Dey模型  5.4  混合模型  5.5  基于XPS的能帶結(jié)構(gòu)以匹配關(guān)系  5.6  離子空間電荷限制電流……6.開關(guān)動(dòng)力學(xué)7.電荷注入和疲勞8.頻率依賴9.制備過程中的相序10. CBT族Aurivillius相層狀結(jié)構(gòu)11.淀積和工藝12.非破壞性出器件13.基于超導(dǎo)體的鐵電器件：相控陣?yán)走_(dá)和14.薄膜黏結(jié)15.電子發(fā)射和平面顯示器16.光學(xué)器件17.納米相器件18.缺點(diǎn)和不足習(xí)題參考文獻(xiàn)索引

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無

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