硅鍺超晶格及低維量子結(jié)構(gòu)

內(nèi)容概要

本書(shū)比較系統(tǒng)地介紹了Si分子束外延和Si1-xGex/Si低維量子體系研究工作的發(fā)展和一些新進(jìn)展，并根據(jù)當(dāng)前國(guó)際上的發(fā)展趨勢(shì)，圍繞復(fù)旦大學(xué)應(yīng)用表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室過(guò)去十多年來(lái)所取得的各項(xiàng)研究成果，對(duì)Si分子束外延和Si1-xGex/Si低維量子體系的材料生長(zhǎng)、表征、物理特性研究和器件應(yīng)用等方面作了比較完整的介紹。    本書(shū)第1章介紹了Si1-xGex/Si體系的基本物理特性，第2章介紹了Si分子束外延設(shè)備、實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)分析技術(shù)及各種類(lèi)型的Si1-xGex/Si材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)，第3章介紹了Si1-xGex/Si異質(zhì)材料的表征，第4、5章分別論述和介紹了Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)、超晶格和量子阱的電學(xué)和光學(xué)特性，同時(shí)也介紹了最新發(fā)展的Si基Ge量子點(diǎn)研究，第6章介紹了量子點(diǎn)的生長(zhǎng)及其光學(xué)和電學(xué)特性，第7章介紹了Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)材料在器件方面的應(yīng)用。    本書(shū)可作為半導(dǎo)體物理、材料測(cè)試及器件制備等相關(guān)領(lǐng)域的研究人員及研究生的參考書(shū)。特別對(duì)于希望從事Si1-xGex/Si材料、物理和器件研究的科學(xué)工作者，本書(shū)可作為一本入門(mén)的參考資料。

書(shū)籍目錄

《科學(xué)前沿叢書(shū)》序本書(shū)序前言第1章 Si1-xGex/Si合金應(yīng)變層及超晶格的基本性質(zhì)  1.1 Si1-xGex合金應(yīng)變層內(nèi)的應(yīng)力  1.2 Si1-xGex/Si異質(zhì)材料的共度生長(zhǎng)臨界厚度  1.3 Si1-xGex/Si應(yīng)變層超晶格的應(yīng)變特性  1.4 Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列  1.5 Si1-xGex/Si量子阱和超晶格的電子態(tài)第2章 Si分了束外延生長(zhǎng)技術(shù)  2.1 Si分子束外延設(shè)備簡(jiǎn)介  2.2 原位分析與監(jiān)控  2.3 分子束外延中襯底材料的表面處理技術(shù)  2.4 Si、Ge材料的外延生長(zhǎng)第3章 Si1-xGex/Si超晶格、量子阱的結(jié)構(gòu)表征  3.1 X射線(xiàn)散射和衍射  3.2 透射電子顯微觀察  3.3 盧瑟福背散射譜  3.4 俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜深度剖析第4章 Si1-xGex/Si低維結(jié)構(gòu)材料的電學(xué)性質(zhì)  4.1 Si1-xGex/Si量子阱結(jié)構(gòu)的C-V特性  4.2 量子井結(jié)構(gòu)的導(dǎo)納譜研究  4.3 用異納譜研究Si1-xGex/Si量子阱中的量子限制效應(yīng)  4.4 用DLTS研究Si分子束外延層的界面缺陷第5章 Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的光學(xué)特性  5.1 Si1-xGex/Si超晶格的光散射特性  5.2 Si1-xGex/Si量子阱的發(fā)光特性  5.3 Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的吸收、調(diào)制反射和非線(xiàn)性光譜第6章 Si基Ge量子點(diǎn)材料  6.1 Si基Ge量子點(diǎn)材料的生長(zhǎng)、表征及其發(fā)光特性  6.2 Si基Ge量子點(diǎn)的能級(jí)結(jié)構(gòu)和庫(kù)侖荷電效應(yīng)  6.3 Si基Ge量子點(diǎn)的空穴俘獲過(guò)程的研究第7章 Si1-xGex/Si分子束外延材料的器件應(yīng)用  7.1 Si1-xGex/Si基區(qū)HBT  7.2 Si1-xGex/Si埋溝MOS場(chǎng)效管  7.3 P+-Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)內(nèi)光電發(fā)射型紅外探測(cè)器  7.4 Si1-xGex/Si多量子阱型探測(cè)器  7.5 Si1-xGex/Si光電集成電路索引

圖書(shū)封面

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