模擬電子技術

前言

　　為普通高等院校電子類、電氣類和計算機類等專業(yè)而編寫的模擬電子技術課程教材。本書是作者在多年從事應用型本科電子技術教學實踐的基礎上，吸收了兄弟院校相關教材的優(yōu)點編寫而成的，具有很強的針對性?！　眯捅究圃盒Ｅ囵B(yǎng)學生的目標是使學生成為具有一定專業(yè)理論水平和較強動手能力的應用型人才。因此，本書在編寫過程中，著重突出如下幾個問題。　　1.基礎知識與新技術相結合　　隨著電子技術的發(fā)展，模擬電子的新技術、新器件不斷涌現(xiàn)，使得模擬電子技術的內(nèi)容越來越多，市場上的相關教材也越來越厚。為了適應培養(yǎng)應用型人才的需要，本書首先在教材內(nèi)容上進行了精心挑選，既重視基礎知識的提煉和更新，又介紹了電子技術的發(fā)展和現(xiàn)狀，使基礎知識與新技術有機地結合起來。讓學生既學到了扎實的基礎知識，又了解了新技術。2.理論與實際相結合本書首次引人模擬電子技術在工程上的應用實例，使學生從抽象的理論躍進看得見、摸得著的工程實踐中。這不僅大大激發(fā)了學生學習模擬電子技術的興趣，而且也培養(yǎng)了學生學習工程概念和實現(xiàn)工程技術的能力。　　3.理論與技能培養(yǎng)相結合　　為培養(yǎng)應用型人才，本書注重對學生進行技能方面的培養(yǎng)，1～8章每章都留有適量的、有趣味性的、應用性的習題和自測題，以培養(yǎng)學生獨立思考的能力、分析問題的能力和解決實際問題的能力?！　?.教材結構安排與敘述方式的結合　　為適應應用型本科院校學生的理解能力，教材在結構安排上由淺入深、由特殊到一般，以適應學生的認識規(guī)律；在敘述方法上做到通俗易懂，減少不必要的推理演繹，著重突出物理概念，從而化解模擬電路中的許多難點，使學生易學易懂。　　本書引用了許多專家、學者著作和論文中的研究成果，在此特向他們表示衷心的感謝。　　本書第1、2章由陳振云老師編寫；第3、5、9章由韋建英老師編寫；第4、8章由劉龍輝老師編寫；第6、7章由徐安靜老師編寫。韋建英、徐安靜老師任主編，負責全書統(tǒng)稿，陳振云、劉龍輝老師任副主編?！　∮捎诰幷咚接邢?，缺點和疏漏在所難免，敬請廣大讀者批評指正。

內(nèi)容概要

　　本書是為普通高等院校電子類、電氣類和計算機類專業(yè)而編寫的模擬電子技術課程教材。全書分為9章，內(nèi)容包括半導體二極管及其應用電路、半導體三極管及其放大電路、場效應管及其放大電路、功率放大電路、集成運算放大器、反饋放大電路、集成運算放大器的應用電路、直流穩(wěn)壓電源和模擬電路應用實例等。1～8章每章都有各章小結，還配有習題和自測題。書后附有相　　本書還可以作為機電類、儀器儀表類等專業(yè)的參考教材，可供廣大電子技術愛好者自學與參考。

書籍目錄

第1章　半導體二極管及其應用電路　1.1　半導體基本知識　1.2　PN結　1.3　半導體二極管　1.4　特殊二極管　小結　習題　自測題第2章　半導體三極管及其放大電路　2.1　半導體三極管　2.2　基本共射極放大電路　2.3　射極偏置放大電路　2.4　共集電極放大電路和共基極放大電路　2.5　多級放大電路　小結　習題　自測題第3章　場效應管及其放大電路　3.1　絕緣柵型場效應管　3.2　結型場效應管　3.3　場效應管的主要參數(shù)　3.4　場效應管放大電路　3.5　場效應管放大電路　小結　習題　自測題第4章　功率放大電路　4.1　功率放大電路的特點與類型　4.2　乙類雙電源互補對稱功率放大電路　4.3　集成功率放大器　小結　習題　自測題第5章　集成運算放大器　5.1　集成運算放大器概述　5.2　電流源電路　5.3　差動放大電路　5.4　集成運算放大器　小結　習題　自測題第6章　反饋放大電路　6.1　反饋的基本概念與分類　6.2　負反饋放大電路的四種組態(tài)　6.3　負反饋對放大電路性能的影響　6.4　負反饋放大電路的分析方法　6.5　負反饋放大電路的穩(wěn)定問題　6.6　正反饋的典型應用　小結　習題　自測題第7章　集成運算放大器的應用電路　7.1　理想運算放大器　7.2　基本運算電路　7.3　非正弦波產(chǎn)生電路　7.4　有源濾波電路　小結　習題　自測題第8章　直流穩(wěn)壓電源　8.1　直流電源的組成　8.2　整流電路　8.3　濾波電路　8.4　穩(wěn)壓電路　8.5　三端集成穩(wěn)壓器及其應用　8.6　開關型穩(wěn)壓電路　小結　習題　自測題第9章　模擬電路應用實例　9.1　功率放大電路的應用　9.2　振蕩電路的應用　9.3　基本放大電路的應用　9.4　其他應用電路附錄A　部分參考答案參考文獻

章節(jié)摘錄

　　硅或鍺原子之間關系的平面結構為共價鍵結構，如圖1一1一4所示。在共價鍵結構中，原子最外層有8個電子，這些電子屬于各原子共有，稱為共價電子。在熱力學溫度為O K時，共價電子的能量不足以掙脫共價鍵的束縛成為自由電子，因此半導體不能導電。在獲得熱量或光照后，部分共價電子會掙脫共價鍵的束縛，成為自由電子。共價電子成為自由電子的過程稱為熱激發(fā)或光激發(fā)，同時，共價鍵留下一個空位，稱為空穴。自由電子和空穴總是成對產(chǎn)生并且成對復合的。如果共價電子填補空穴，可以理解為空穴填補共價電子，即理解為空穴在共價鍵內(nèi)自由移動，而移動的方向與共價電子移動的方向相反，所以可將空穴理解為帶正電的粒子。自由電子和空穴統(tǒng)稱載流子，載流子的多少就決定了半導體的導電能力的強弱。　　完全純凈、晶體結構完整的半導體稱為本征半導體，本征硅和本征鍺在常溫下導電能力較差，其原因就是常溫激發(fā)出的自由電子數(shù)量的濃度比其原子的濃度要小得多，例如在室溫下，只有少數(shù)共價電子獲得足夠的能量，克服原子核和共價鍵的束縛而成為自由電子。但因自由電子數(shù)量很少，導電能力很差。為提高半導體材料的導電能力，工程上采用雜質半導體。

圖書封面

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