薄膜晶體管

內(nèi)容概要

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，以液晶顯示（LCD）為代表的平板顯示（FPD）已經(jīng)取代傳統(tǒng)的、體積笨重的CRT顯示并占據(jù)主流地位，涵蓋了從手機(jī)到大尺寸電視在內(nèi)的各種顯示應(yīng)用領(lǐng)域。薄膜晶體管（TFT）已經(jīng)成為電子平板顯示行業(yè)的核心部件。本書闡述了基于氫化非晶硅和多晶硅的薄膜晶體管的發(fā)展、性質(zhì)、制造工藝、圖案化及器件性能，同時(shí)強(qiáng)調(diào)了基于有機(jī)、有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化半導(dǎo)體材料的新的、替代性及潛在突破性的技術(shù)。    本書對(duì)我國(guó)讀者了解國(guó)外TFT發(fā)展的背景、趨勢(shì)和最新研究成果是十分有益的，是TFT相關(guān)的工程師、研究人員及相關(guān)專業(yè)教師和學(xué)生的非常有價(jià)值的參考書。

書籍目錄

第1章  薄膜晶體管的發(fā)展歷程  1.1  引言  1.2  20世紀(jì)30年代  1.3  20世紀(jì)40年代  1.4  20世紀(jì)50年代  1.5  20世紀(jì)60年代  1.6  20世紀(jì)70年代  1.7  20世紀(jì)80年代  1.8  20世紀(jì)90年代  1.9  總結(jié)  參考文獻(xiàn)第2章  氫化非晶硅薄膜晶體管的制備與性能  2.1  氫化非晶硅薄膜晶體管簡(jiǎn)介  2.2  氫化非晶硅薄膜晶體管的基本特性    2.2.1  線性區(qū)    2.2.2  飽和區(qū)  2.3  氫化非晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)劃分    2.3.1  反交疊型氫化非晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)    2.3.2  交疊型氫化非晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)    2.3.3  短溝道氫化非晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)    2.3.4  共面型氫化非晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)    2.3.5  高電壓氫化非晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)  2.4  用于高性能a-Si：H TFT中的PECVD材料制備    2.4.1  用PECVD沉積a-Si：H薄膜    2.4.2  用PECVD沉積SiNx薄膜    2.4.3  用PECVI]沉積n+a-Si：H薄膜    2.4.4  界面特性的改善  2.5  塑料襯底上的氫化非晶硅薄膜晶體管    2.5.1  低溫沉積    2.5.2  塑料襯底上的氣體阻擋層    2.5.3  應(yīng)力影響  參考文獻(xiàn)第3章  氫化非晶硅薄膜晶體管  3.1  前言  3.2  氫化非晶硅薄膜晶體管的數(shù)值模擬    3.2.1  模擬氫化非晶硅薄膜晶體管的模型    3.2.2  氫化非晶硅薄膜晶體管的溫度影響    3.2.3  光照下的氫化非晶硅薄膜晶體管的特性  3.3  氫化非晶硅薄膜晶體管的特性    3.3.1  薄膜晶體管特性的標(biāo)準(zhǔn)化    3.3.2  氫化非晶硅薄膜晶體管電學(xué)參數(shù)的提取    3.3.3  氫化非晶硅薄膜晶體管的源漏串聯(lián)電阻    3.3.4  柵極化的四探針氫化非晶硅薄膜晶體管    3.3.5  氫化非晶硅薄膜厚度的影響    3.3.6  光照下氫化非晶硅薄膜晶體管的特性  3.4  先進(jìn)的氫化非晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)    3.4.1  高性能的背溝道刻蝕型氫化非晶硅薄膜晶體管    3.4.2  柵平面化的氫化非晶硅薄膜晶體管    3.4.3  總線掩埋的氫化非晶硅薄膜晶體管    3.4.4  全自對(duì)準(zhǔn)氫化非晶硅薄膜晶體管    3.4.5  頂柵氫化非晶硅薄膜晶體管  3.5  氫化非晶硅薄膜晶體管電學(xué)性能的不穩(wěn)定性  3.6  結(jié)論  參考文獻(xiàn)第4章  多晶硅薄膜晶體管  4.1  引言  4.2  AMLCD和LTPS TFT LCD概述    4.2.1  集成周邊驅(qū)動(dòng)電路的LTPsTFT的要求    4.2.2  有源矩陣尋址的薄膜晶體管的要求  4.3  硅薄膜沉積方法  4.4  非晶硅晶化    4.4.1  固相晶化    4.4.2  準(zhǔn)分子激光晶化    4.4.3  晶化技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)  4.5  柵絕緣層形成  4.6  摻雜與激活  4.7  典型的多晶硅薄膜晶體管的制造工藝流程  參考文獻(xiàn)第5章  薄膜晶體管在有源矩陣液晶顯示中的應(yīng)用  5.1  有源矩陣的設(shè)計(jì)與制造    5.1.1  AMLCD中TFT和陣列要求    5.1.2  存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)    5.1.3  電過應(yīng)力(EOS)與靜電放電(ESD)保護(hù)    5.1.4  陣列測(cè)試    5.1.5  TFT陣列中的缺陷與修復(fù)  5.2  顯示系統(tǒng)問題    5.2.1  TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方案    5.2.2  顯示驅(qū)動(dòng)芯片    5.2.3  集成驅(qū)動(dòng)器和功能    5.2.4  系統(tǒng)電子的要求  5.3  先進(jìn)的高分辨率、高性能和大面積的AMLCD  參考文獻(xiàn)第6章  基于有機(jī)材料的薄膜晶體管  6.1  背景介紹  6.2  基本原理和工作模式  6.3  有機(jī)半導(dǎo)體的范圍和局限  6.4  器件材料和結(jié)果    6.4.1  電化學(xué)聚合的聚噻酚    6.4.2  真空沉積的低聚噻酚并五苯及其他小分子    6.4.3  六噻酚和并五苯的單晶    6.4.4  溶液加工的聚烷基噻酚    6.4.5  基于印刷技術(shù)的全有機(jī)器件    6.4.6  n型半導(dǎo)體    6.4.7  絕緣層對(duì)載流子遷移率的影響  6.5  結(jié)論  參考文獻(xiàn)第7章  基于小分子的真空沉積有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管  7.1  背景介紹  7.2  利用有機(jī)分子真空升華制備OTFr的方法  7.3  小分子有機(jī)半導(dǎo)體電荷傳輸機(jī)制  7.4  有機(jī)晶體管的操作和模擬  7.5  有機(jī)晶體管的性能    7.5.1  p型OTFT的性能    7.5.2  形態(tài)學(xué)與電學(xué)性質(zhì)的關(guān)系    7.5.3  遷移率對(duì)柵電壓的依賴    7.5.4  器件構(gòu)型對(duì)并五苯晶體管性能的影響    7.5.5  n型OTFT性能的進(jìn)展  7.6  結(jié)論及展望  參考文獻(xiàn)第8章  有機(jī)晶體管：材料、圖案化技術(shù)及其應(yīng)用  8.1  簡(jiǎn)介  8.2  有機(jī)半導(dǎo)體    8.2.1  線性稠環(huán)    8.2.2  二維稠環(huán)化合物    8.2.3  聚合半導(dǎo)體  8.3  夾層電介質(zhì)  8.4  圖案化技術(shù)    8.4.1  絲網(wǎng)印刷    8.4.2  微膠束模型    8.4.3  微接觸印刷    8.4.4  近場(chǎng)光刻  8.5  塑料薄膜晶體管在柔性顯示和邏輯電路中的應(yīng)用    8.5.1  電子紙張顯示器    8.5.2  邏輯電路  8.6  結(jié)論  致謝  參考文獻(xiàn)第9章  基于溶解加工和直接印刷技術(shù)構(gòu)建的聚合物晶體管電路  9.1  背景介紹  9.2  歷史的觀點(diǎn)  9.3  器件物理學(xué)  9.4  經(jīng)過聚合物自組織增加遷移率  9.5  聚合物晶體管電路的直接噴墨印刷  9.6  應(yīng)用    9.6.1  有源矩陣顯示器    9.6.2  識(shí)別標(biāo)簽    9.6.3  全聚合物光電子集成電路  9.7  結(jié)論  參考文獻(xiàn)第10章  基于有機(jī).無(wú)機(jī)雜化材料的薄膜晶體管  10.1  背景介紹  10.2  鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的雜化物  10.3  薄膜沉積和圖案化    10.3.1  溶液加工    10.3.2  插入反應(yīng)    10.3.3  熱蒸發(fā)    10.3.4  圖案化  10.4  薄膜晶體管  10.5  結(jié)論  參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第1章 薄膜晶體管的發(fā)展歷程　　美國(guó)紐約Hopewell Junction eMagin公司W(wǎng)ebster E．Howard　　1.1 引言　　薄膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT）在過去的十年里已經(jīng)成為電子平板顯示行業(yè)的核心部件。這正如早些時(shí)候，硅芯片被稱為電子計(jì)算機(jī)行業(yè)的核心部件一樣。如今，數(shù)十家大公司每年都生產(chǎn)出幾百萬(wàn)臺(tái)顯示器，每臺(tái)顯示器都集成了數(shù)百萬(wàn)個(gè)TFT器件。　　我們可以通過從早期半導(dǎo)體物理科學(xué)，到持續(xù)了近70年的半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展的有趣傳奇，來(lái)認(rèn)識(shí)上述觀點(diǎn)。也正是在那個(gè)時(shí)候，首次根據(jù)材料的電子結(jié)構(gòu)來(lái)分類，因此，人們對(duì)半導(dǎo)體的理解，不再僅僅認(rèn)為半導(dǎo)體是一種電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料，而且也認(rèn)為它是一種由無(wú)數(shù)的、內(nèi)部具有少數(shù)移動(dòng)電荷的小單元組成的材料，并且是電導(dǎo)率明顯依賴于溫度變化的結(jié)晶性材料?！　』仡欉^去，我們能夠發(fā)現(xiàn)TFT器件的概念及其重要的潛在應(yīng)用明顯早于“晶體管”器件。實(shí)際上，多年來(lái)TFT的發(fā)展一直被最初的雙極結(jié)型晶體管（Bipola，JunctionTransistor）及技術(shù)上與它類似的器件——金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）的驚人發(fā)展所掩蓋?！　≡诒菊吕?，將按年代回顧TFT在材料和結(jié)構(gòu)方面的發(fā)展歷程，一直到今天被廣泛采用的形式。

編輯推薦

　　《薄膜晶體管（TFT）及其在平板顯示中的應(yīng)用》對(duì)我國(guó)讀者了解國(guó)外TFT發(fā)展的背景、趨勢(shì)和最新研究成果是十分有益的，是TFT相關(guān)的工程師、研究人員及相關(guān)專業(yè)教師和學(xué)生的非常有價(jià)值的參考書。　　在顯示技術(shù)領(lǐng)域，以液晶顯示（LCD）為代表的平板顯示（FPD）已經(jīng)取代傳統(tǒng)的、體積笨重的CRT顯示并占據(jù)主流地位，涵蓋了從手機(jī)到大尺寸電視在內(nèi)的各種顯示應(yīng)用領(lǐng)域。薄膜晶體管（TFT）已經(jīng)成為電子平板顯示行業(yè)的核心部件。

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