出版時(shí)間:2009-12 出版社:清華大學(xué)出版社 作者:田民波 頁(yè)數(shù):244
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內(nèi)容概要
本書以通俗生動(dòng)的語(yǔ)言、圖文并茂的形式,簡(jiǎn)要介紹了集成電路制程。以特征線寬130nm以下為重點(diǎn),涉及集成電路制作工藝的各個(gè)方面,特別是包括短波長(zhǎng)光源、步進(jìn)與掃描照相曝光系統(tǒng)、CMP平坦化、雙大馬士革Cu布線、低-k介質(zhì)材料、SoC與SiP等。不僅便于讀者入門,特別是指明問(wèn)題的關(guān)鍵和發(fā)展方向。對(duì)于與集成電路(IC)制程、材料、設(shè)備以及微電子應(yīng)用相關(guān)的科技工作者和工程技術(shù)人員,本書具有極為難得的參考價(jià)值,也可以作為相關(guān)專業(yè)本科生、研究生用教材和參考書。
書籍目錄
第1章 半導(dǎo)體IC的構(gòu)造——既神奇又不可思議的半導(dǎo)體 1.1 何謂半導(dǎo)體——導(dǎo)電的難易性 1.2 神奇的硅一在地球表面的元素中儲(chǔ)量排行第二 1.3 集成電路中集成的是什么——三極管、電阻、電容 1.4 半導(dǎo)體元件與集成電路——集成電路面面觀 1.5 二極管的功能——3種類型的二極管 1.6 三極管的功能——可以比作通過(guò)水閘的水路 1.7 MOS與雙極性晶體管的比較—÷按Ic的材料分類 1.8 存儲(chǔ)器、各種類型的CPU——從MPU、ASIC到系統(tǒng)LSl 1.9 存儲(chǔ)器的種類——從DRAM到快閃存儲(chǔ)器 1.10 CISC與RISC——MPU的兩個(gè)發(fā)展系列 1.11 半導(dǎo)體器件的用途與特征——各具特色的半導(dǎo)體器件大顯身手 1.12 存儲(chǔ)器的大小對(duì)比——壓縮技術(shù) 1.13 DRAM的技術(shù)先導(dǎo)作用——從DRAM到CPU 1.14 摩爾定律繼續(xù)有效——山窮水盡疑無(wú)路,柳暗花明又一村 1.15 集成電路發(fā)明50周年歷史回眸——兩人一小步人類一大步 1.16 微處理器發(fā)展歷程——IC技術(shù)插上騰飛的翅膀 專題欄:半導(dǎo)體IC工廠廠址應(yīng)具備哪些條件第2章 IC如何進(jìn)行計(jì)算與存儲(chǔ)——CPU與存儲(chǔ)器的工作原理 2.1 雙極性晶體管集成電路的結(jié)構(gòu)——比CMOS速度更快 2.2 N型與P型MOS的區(qū)別——電壓和電流的正負(fù)號(hào)變化一下即可 2.3 何謂CMOS——最為普及的LSl 2.4 電荷的積蓄方法——向DRAM“寫入” 2.5 DRAM的重寫——從DRAM“讀出” 2.6 快閃存儲(chǔ)器之一——不易失存儲(chǔ)器中電荷的積蓄方法 2.7 快閃存儲(chǔ)器之二——半永久數(shù)據(jù)的存儲(chǔ) 2.8 加法計(jì)算——二進(jìn)制法計(jì)算 2.9 減法計(jì)算——利用“負(fù)數(shù)相對(duì)于2的補(bǔ)數(shù)表現(xiàn)” 2.10 乘法計(jì)算——如何實(shí)現(xiàn)乘法器 2.11 何謂NAND型——CMOS邏輯電路 2.12 NOR型、AND型、0R型——各種類型的邏輯電路 2.13 半導(dǎo)體的動(dòng)力和功耗——IC內(nèi)的電壓以5V為中心 專題欄:存儲(chǔ)器更新?lián)Q代的標(biāo)志是出現(xiàn)“比特剪刀差”第3章 半導(dǎo)體集成電路的制作工藝——IC工廠的實(shí)際體驗(yàn) 3.1 半導(dǎo)體集成電路制作鳥瞰——開發(fā)順序與制作工程 3.2 IC制造的全工程——涉及前工程和后工程的五大工序 3.3 “前”工程——制作帶有電路的芯片 3.4 G/W(Good—chip/Wafer,合格芯片/硅圓片)檢測(cè)工程——判定芯片是否合格 3.5 如何定義成品率——對(duì)綜合實(shí)力的檢驗(yàn) 3.6 “后”工程——從劃片到成品檢驗(yàn) 3.7 IC設(shè)計(jì)圖的制作——要做到技術(shù)先進(jìn)性與市場(chǎng)需求兼顧 專題欄:計(jì)算機(jī)模擬第4章 硅圓片的制作——前工程之一:閃閃發(fā)光的單晶硅圓片 4.1 高純硅的制作——99.999999999%的超高純 4.2 拉制單晶硅——CZ法與FZ法 4.3 硅圓片的制作——從單晶硅棒切成硅圓片 4.4 研磨成閃閃發(fā)光的單晶硅圓片——決定形狀和品質(zhì)的重要關(guān)口 4.5 硅圓片直徑與有效芯片——以6~8英寸硅圓片為中心 ……第5章 薄膜的制作——前工程之二:重要的擴(kuò)散工藝第6章 電路圖形的制作|——前工程之本:掩??涛g第7章 IC組裝——后工程之一:從劃片到塑封第8章 檢驗(yàn)與測(cè)量——后工程之二:多重檢驗(yàn)第9章 包羅萬(wàn)象的半導(dǎo)體——從非晶態(tài)到光集成電路第10章 最尖端的半導(dǎo)體技術(shù)——下一代的IC和LSI附錄 IC制程常用縮略語(yǔ)注釋參考文獻(xiàn)
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