出版時間:2012-1 出版社:北京大學(xué) 作者:王陽 頁數(shù):435
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內(nèi)容概要
本書較系統(tǒng)、詳細(xì)地講解了CMOS模擬集成電路的有關(guān)基本概念、原理及設(shè)計方法。全書內(nèi)容共七章,主要介紹CMOS電路的基本問題。具體包括:基本器件,基本模塊電路,放大器,連續(xù)時間濾波器,開關(guān)電容電路,過采樣數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。本書可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)用書,也可供相關(guān)科研、設(shè)計人員參閱。
書籍目錄
第一章緒論
1.1模擬電路與芯片級集成系統(tǒng)
1.1.1 CMOS模擬電路緣起
1.1.2 模擬電路在芯片級集成系統(tǒng)中的作用
1.1.3模擬集成電路與生物學(xué)
1.1.4芯片學(xué)的未來
1.2模擬集成電路設(shè)計旨要
1.2.1模擬電路設(shè)計的科學(xué)性與工匠性
1.2.2 電學(xué)設(shè)計
1.2.3物理設(shè)計
1.3有關(guān)問題說明
1.3.1 熱點問題與本書著重點
1.3.2 內(nèi)容安排
1.3.3字符、符號使用說明
第二章CMOS集成電路基本器件
2.1 CMOS集成電路物理結(jié)構(gòu)及制作過程
2.1.1 物理結(jié)構(gòu)和基本制作過程
2.1.2 制造工藝分類
2.2 PN結(jié)二極管
2.2.1基本電流電壓特性
2.2.2 擊穿特性
2.2.3 PN結(jié)二極管電容
2.2.4 PN結(jié)二極管噪聲
2.2.5 PN結(jié)二極管溫度特性
2.3 MOS晶體管電流一電壓特性
2.3.1 MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.3.2 MOS晶體管特性的數(shù)學(xué)描述
2.3.3 溝道強(qiáng)反型模型
2.3.4 溝道弱反型模型
2.3.5 深亞微米MOS管特性
……
第三章 基本單元電路
第四章 運(yùn)算放大器
第五章 連續(xù)時間濾波器
第六章 天關(guān)電容電路
第七章 過采樣數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
本書主要參考書目
參考文獻(xiàn)
關(guān)鍵詞索引
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