電子元器件應(yīng)用技術(shù)手冊(cè)

內(nèi)容概要

　　《電子元器件應(yīng)用技術(shù)手冊(cè)（微電子器件分冊(cè)）》收集了主要常用電子元器件的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、選用原則、檢驗(yàn)、測(cè)試、篩選等應(yīng)用知識(shí)，并收集了部分常用的、有特殊性能的元器件的型號(hào)、規(guī)格及主要電性能參數(shù)，供讀者選用時(shí)參考，其目的就是為廣大科技人員、電路設(shè)計(jì)師、可靠性工程師、電子物資人員及檢驗(yàn)人員提供一套比較完整實(shí)用的電子元器件應(yīng)用技術(shù)資料。

書籍目錄

第1章 微電子器件的分類與命名方法1.1 微電子器件的分類1.2 微電子器件的命名方法1.2.1 國(guó)產(chǎn)微電子器件的型號(hào)命名方法1.2.2 主要國(guó)家和地區(qū)半導(dǎo)體分立器件命名方法第2章 微電子器件的主要電性能參數(shù)及檢測(cè)2.1 主要電性能參數(shù)2.1.1 半導(dǎo)體分立器件2.1.2 集成電路2.2 微電子器件的檢測(cè)2.2.1 微電子器件的檢驗(yàn)規(guī)則2.2.2 半導(dǎo)體分立器件的測(cè)試2.2.3 集成電路的測(cè)試2.3 微電子器件測(cè)試儀器2.3.1 分立器件的測(cè)試儀器——STS 8103A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)2.3.2 集成電路的測(cè)試儀器第3章 微電子器件的二次篩選3.1 電子元器件篩選的目的與要求3.2 確定元器件篩選程序的依據(jù)3.3 篩選程序3.4 篩選試驗(yàn)項(xiàng)目3.4.1 高溫存貯試驗(yàn)篩選（穩(wěn)定性烘焙）3.4.2 電老煉篩選3.4.3 溫度循環(huán)試驗(yàn)篩選3.4.4 密封檢漏篩選3.4.5 晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗(yàn)3.4.6 粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)篩選（PIND試驗(yàn)）3.5 篩選試驗(yàn)的利弊分析3.5.1 篩選付出的代價(jià)3.5.2 元器件二次篩選的局限性和風(fēng)險(xiǎn)性3.5.3 對(duì)主要篩選試驗(yàn)項(xiàng)目的分析3.6 篩選程序規(guī)范及舉例3.6.1 對(duì)軍用半導(dǎo)體分立器件的篩選試驗(yàn)要求3.6.2 對(duì)軍用集成電路的篩選試驗(yàn)要求3.6.3 篩選程序舉例3.7 篩選試驗(yàn)設(shè)備3.7.1 SPZH-T高溫分立器件綜合老煉檢測(cè)系統(tǒng)3.7.2 SPJT-G大功率晶體管老煉篩選系統(tǒng)3.7.3 SPDC-T DC／DC電源高溫老煉檢測(cè)系統(tǒng)第4章 電子元器件的選擇與控制4.1 微電子器件的質(zhì)量等級(jí)4.2 電子元器件的失效率等級(jí)4.3 “七?！痹骷?.4 元器件的選擇規(guī)則4.5 電子元器件的質(zhì)量控制4.5.1 制定元器件可靠性保障大綱4.5.2 對(duì)電子物資部門的要求4.5.3 研制整機(jī)電子元器件的質(zhì)量控制第5章 微電子器件的可靠性應(yīng)用5.1 電浪涌對(duì)器件造成的損傷與防范5.1.1 接通電容性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流5.1.2 斷開(kāi)電感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓5.1.3 驅(qū)動(dòng)白熾燈時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流5.1.4 數(shù)字集成電路開(kāi)關(guān)工作時(shí)產(chǎn)生的電流浪涌5.1.5 直流穩(wěn)壓電源引起的浪涌5.1.6 接地不當(dāng)導(dǎo)致器件損壞5.1.7 TTL電路防浪涌干擾的應(yīng)用5.2 噪聲對(duì)微電子器件的影響5.2.1 對(duì)接地不良引起噪聲的防范5.2.2 對(duì)靜電耦合和電磁耦合產(chǎn)生噪聲的防范5.2.3 對(duì)反射引起噪聲的防范5.3 溫度對(duì)微電子器件的影響5.4 機(jī)械過(guò)應(yīng)力對(duì)器件的損傷5.4.1 引線的形成與切斷5.4.2 在印制板上安裝器件5.4.3 焊接5.4.4 器件在整機(jī)系統(tǒng)中的布局設(shè)計(jì)5.4.5 運(yùn)輸5.5 微電子器件的降額使用5.5.1 微電子器件最大額定值的概念5.5.2 合理降額5.5.3 在降額使用時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題5.6 微電子器件的抗輻射應(yīng)用5.6.1 抗輻射加固在電子整機(jī)系統(tǒng)的器件選擇5.6.2 電子整機(jī)系統(tǒng)中的抗輻射措施5.7 常用集成電路應(yīng)遵守的一般規(guī)則5.8 集成穩(wěn)壓器的應(yīng)用與安全保護(hù)5.8.1 集成穩(wěn)壓器的保護(hù)電路5.8.2 使用中的安全保護(hù)第6章 失效分析6.1 失效分析所具備的基本條件6.1.1 專業(yè)分析人員6.1.2 分析設(shè)備及相關(guān)測(cè)試儀器6.1.3 失效分析環(huán)境條件要求6.2 微電子器件失效分析的一般程序6.2.1 開(kāi)封前6.2.2 開(kāi)封后6.3 微電子器件失效模式與失效機(jī)理分析6.3.1 微電子器件的制造工藝概述6.3.2 工藝缺陷技術(shù)術(shù)語(yǔ)簡(jiǎn)介6.3.3 失效模式與失效機(jī)理6.4 失效機(jī)理分析6.4.1 表面失效機(jī)理分析6.4.2 體內(nèi)失效機(jī)理分析6.4.3 電極系統(tǒng)及封裝的失效機(jī)理分析6.5 利用測(cè)試特性曲線進(jìn)行分析6.5.1 PN結(jié)特性曲線6.5.2 晶體管異常輸出特性曲線6.5.3 測(cè)試IC管腳電特性分析失效原因第7章 靜電對(duì)微電子器件的危害與防范7.1 靜電的危害7.1.1 靜電效應(yīng)7.1.2 靜電的危害7.1.3 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害形式7.2 靜電敏感器件（SSD）的分級(jí)7.2.1 靜電放電敏感度的分類7.2.2 人體帶電模型7.3 靜電的防護(hù)7.3.1 建立安全工作區(qū)7.3.2 靜電接地技術(shù)及其應(yīng)用7.3.3 靜電防護(hù)的基本要求7.3.4 靜電的防護(hù)措施7.4 防靜電保護(hù)7.4.1 防靜電保護(hù)元件7.4.2 防靜電器材第8章 半導(dǎo)體二極管8.1 整流二極管8.1.1 1N系列整流二極管8.1.2 2DP系列整流二極管8.1.3 快速恢復(fù)整流二極管8.2 穩(wěn)壓二極管8.2.1 2CW37系列穩(wěn)壓二極管8.2.2 2CW系列穩(wěn)壓二極管8.2.3 1N系列玻封硅穩(wěn)壓二極管8.3 開(kāi)關(guān)二極管8.3.1 2CK系列硅開(kāi)關(guān)二極管8.3.2 1N系列開(kāi)關(guān)二極管8.4 微波二極管8.4.1 簡(jiǎn)介8.4.2 點(diǎn)接觸二極管主要特性參數(shù)8.4.3 肖特基勢(shì)壘二極管8.4.4 PIN二極管8.4.5 體效應(yīng)二極管8.4.6 變?nèi)荻O管8.5 點(diǎn)接觸二極管第9章 半導(dǎo)體三極管9.1 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)9.2 半導(dǎo)體三極管的分類9.3 半導(dǎo)體三極管的工作原理9.4 半導(dǎo)體三極管的特性曲線9.5 中小功率三極管9.6 開(kāi)關(guān)三極管9.7 高反壓三極管9.8 大功率三極管9.9 低噪聲三極管9.10 雙三極管9.11 達(dá)林頓晶體管第10章 集成電路10.1 數(shù)字集成電路10.1.1 CMOS電路主要性能參數(shù)10.1.2 數(shù)字集成電路外引線排列圖10.2 模擬集成電路10.2.1 常用集成運(yùn)算放大器主要性能參數(shù)10.2.2 集成運(yùn)算放大器的封裝形式及引腳排列10.2.3 運(yùn)算放大器基本應(yīng)用電路參考文獻(xiàn)

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