薄膜晶體管

前言

　　工業(yè)革命造就的工業(yè)社會，解決了人類肢體能力的延伸。人類進(jìn)入信息社會，希望解決的是人類思想能力，即智力的延伸。計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展大大推動了社會信息化進(jìn)程，而顯示技術(shù)又為社會信息化提供了人機(jī)最主要的信息交換界面，其重要性越來越顯現(xiàn)。社會的信息化推動了顯示器件的平板化、便攜化和節(jié)能化發(fā)展；反之，顯示器件的日新月異發(fā)展又為社會信息化提供了必要條件。　　液晶顯示器件是大量現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)成果的結(jié)晶，成為平板顯示器件的主流，日益受到社會的青睞。本書系統(tǒng)介紹了液晶顯示器件(TFT—LCD)的核心制造技術(shù)——TFT陣

內(nèi)容概要

　　高質(zhì)量的平板顯示器的核心是薄膜晶體管（Thin film transistor ，TFT）矩陣的特性和制造技術(shù)。這本書主要介紹非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT陣列大規(guī)模生產(chǎn)的制造技術(shù)?！　∪珪?3章，從TFT元件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，到TFT檢查與修復(fù)。包括TFT陣列制作清洗工藝，成膜工藝，光刻工藝，不良解析和檢查修復(fù)。從TFT陣列大規(guī)模制造的角度，第一次比較全面的介紹了TFT-LCD生產(chǎn)線的TFT陣列制造工藝技術(shù)，工藝參數(shù)，生產(chǎn)工藝技術(shù)管理，工藝材料規(guī)格，設(shè)備特性，品質(zhì)控制，產(chǎn)品技術(shù)解析。以工藝原理，設(shè)備參數(shù)控制，材料特性要求，生產(chǎn)工藝文件要求等大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)要素為核心，比較完整的介紹了現(xiàn)代化信息制造業(yè)的工藝流程與工藝管理?！　”緯勺鳛槠桨屣@示行業(yè)工程師，技術(shù)人員，管理人員的參考用書，也可供高等院校相關(guān)專業(yè)方向研究人員，研究生以及相關(guān)行業(yè)從業(yè)人員參考。

書籍目錄

引言一、 平板顯示——人類智慧之窗二、 薄膜晶體管的技術(shù)特點(diǎn)第一章 TFT-LCD生產(chǎn)線建設(shè)1.1 TFT-LCD項(xiàng)目準(zhǔn)備工作1.2 投資估算1.3 廠房建設(shè)1.4 凈化系統(tǒng)1.5 信息管理系統(tǒng)1.6 技術(shù)管理系統(tǒng)1.7 TFT陣列制造的主要設(shè)備1.8 TFT陣列制造的設(shè)計(jì)技術(shù)和研發(fā)第二章 TFT元件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)2.1 場效應(yīng)晶體管的工作原理2.2 非晶硅TFT的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)2.3 TFT陣列2.3.1 TFT與像素、子像素和顯示格式2.3.2 TFT與像素間距2.2.3 TFT與亮度2.3.4 TFT與對比度2.3.5 TFT與開口率2.3.6 TFT與響應(yīng)速度2.3.7 TFT與閃爍2.3.8 TFT的寄生電容與交叉串?dāng)_2.3.9 TFT陣列的等效電路2.3.10 TFT-LCD顯示器TFT的主要參數(shù)第三章 TFT工藝概述3.1 陣列工藝的主要設(shè)備3.2 陣列工藝的主要原材料3.2.1 玻璃基板3.2.2 靶材3.2.3 特藥、特氣3.3 7次光刻的簡要回顧3.4 TFT 5次光刻的工藝技術(shù)3.5 4次光刻技術(shù)3.6 多晶硅和高遷移率TFT技術(shù)3.6.1 多晶硅TFT技術(shù)3.6.2 非硅基高遷移率TFT3.7 硅基液晶顯示技術(shù)3.8 TFT制造統(tǒng)計(jì)過程控制第四章 TFT陣列制作清洗工藝4.1 污染物來源及分類4.2 洗凈原理及方法4.2.1 濕式清洗4.2.2 干式清洗4.3 洗凈材料4.4 洗凈設(shè)備4.5 清洗工藝條件的確定4.5.1 紫外干洗工藝條件的確定4.5.2 洗凈能力評價4.5.3 干燥處理4.5.4 單元條件設(shè)定和點(diǎn)檢4.6 清洗作業(yè)安全及作業(yè)異常處置4.6.1 清洗作業(yè)安全及注意事項(xiàng)4.6.2 作業(yè)異常處置4.7 洗凈工藝展望第五章 濺射成膜（金屬膜）5.1 濺射技術(shù)歷史的簡短回顧5.2 濺射原理及分類5.2.1 濺射原理5.2.2 濺射分類5.3 濺射材料5.3.1 濺射氣體5.3.2 濺射靶材5.4 濺射設(shè)備5.4.1 濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)5.4.2 成膜室構(gòu)造5.4.3 濺射設(shè)備的主要技術(shù)指標(biāo)5.5 濺射工藝條件的確定5.5.1 直流電源功率的確定5.5.2 成膜氣體壓力的確定5.5.3 工藝室真空度的確定5.5.4 磁場強(qiáng)度及其分布5.5.5 成膜溫度的確定5.5.6 濺射距離5.6 金屬膜質(zhì)量控制5.6.1 基板表面灰塵管理5.6.2 Sheet阻抗測量5.6.3 透過率和反射率測量5.6.4 結(jié)晶構(gòu)造觀察5.6.5 膜應(yīng)力測量5.6.6 密著性測定5.6.7 膜厚測量5.6.8 金屬膜的工藝問題5.7 濺射作業(yè)安全及異常處理第六章 CVD成膜（非金屬膜）6.1 化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理及分類6.1.1 化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理6.1.2 化學(xué)氣相沉積技術(shù)的分類6.2 CVD材料6.2.1 硅烷（氣）6.2.2 磷烷6.2.3 氨氣6.2.4 笑氣6.2.5 氫氣6.2.6 氮?dú)?.3 CVD設(shè)備6.3.1 UNAXIS設(shè)備總體結(jié)構(gòu)說明6.3.2 裝載腔和傳送腔結(jié)構(gòu)6.3.3 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)6.3.4 供氣、排氣、除害、水循環(huán)系統(tǒng)6.3.5 附件6.4 CVD工藝條件的確定6.4.1 G-SiN工藝條件6.4.2 連續(xù)3層成膜6.5 TFT元件特性的簡單討論6.6 CVD成膜設(shè)備的回顧與展望第七章 曝光與顯影工藝技術(shù)7.1 工藝原理7.1.1 基本概要7.1.2 TFT的結(jié)構(gòu)7.1.3 工藝流程7.2 曝光工藝材料—光刻膠7.3 曝光工藝設(shè)備7.3.1 涂膠機(jī)7.3.2 涂膠工藝7.3.3 曝光裝置7.3.4 掩模板7.4 工藝條件的確定7.5 灰度掩模板光刻工藝7.6 曝光量與光刻膠形狀評價7.6.1 工藝評價項(xiàng)目7.6.2 工藝調(diào)試7.6.3 光刻膠刻蝕7.6.4 GT部光刻膠斷面形狀的確認(rèn)7.7 工藝管理與設(shè)備日常點(diǎn)檢7.7.1 工藝管理7.7.2 設(shè)備日常點(diǎn)檢7.8 顯影第八章 濕刻工藝技術(shù)8.1 濕法刻蝕原理8.2 濕刻工藝8.3 濕法刻蝕設(shè)備8.4 工藝性能要求8.4.1 柵極濕刻8.4.2 漏源極濕刻8.4.3 像素電極濕刻8.5 工藝參數(shù)8.5.1 藥液溫度8.5.2 藥液處理時間8.5.3 藥液噴淋壓力8.5.4 藥液濃度控制及藥液壽命8.5.5 藥液入口淋浴流量8.5.6 液切氣刀流量8.5.7 水洗時間與水洗噴淋壓力8.5.8 水洗入口淋浴流量8.5.9 干燥槽空氣刀的流量8.6 濕刻工藝中常見的缺陷第九章 干刻技術(shù)9.1 等離子干刻原理9.2 干刻設(shè)備9.3 干刻工藝9.4 硅島刻蝕工藝9.4.1 硅島刻蝕工藝規(guī)范9.4.2 日常點(diǎn)檢與灰塵檢查9.4.3 調(diào)整作業(yè)9.4.4 刻蝕速率的測定9.4.5 段差測定9.5 光刻膠刻蝕工藝9.6 溝道刻蝕工藝9.7 接觸孔刻蝕工藝規(guī)范第十章 光刻膠剝離與退火10.1 光刻膠剝離原理與材料10.2 工藝要求10.3 裝置介紹10.4 重要工藝參數(shù)10.5 工藝條件設(shè)定10.6 日常點(diǎn)檢10.7 退火第十一章 缺陷解析技術(shù)11.1 缺陷解析基礎(chǔ)11.1.1 影響TFT性能的主要參數(shù)及其因數(shù)11.1.2 像素電容的充電11.1.3 電壓補(bǔ)償11.1.4 柵極延遲11.2 TFT陣列缺陷的分類與代碼11.1.1 TFT陣列缺陷的分類11.2.2 TFT陣列缺陷代碼11.3 缺陷解析的主要工具11.4 缺陷解析流程11.4.1 缺陷分布圖11.4.2 設(shè)備調(diào)查11.5 主要缺陷解析11.6 TN型液晶顯示器TFT缺陷圖譜及解析11.7 SFT型液晶顯示器TFT缺陷圖譜及解析第十二章 TFT檢查與修復(fù)12.1 陣列檢查流程12.1.1 TN品種的TFT陣列工藝檢查12.2 流程設(shè)定12.3 檢測設(shè)備12.4 宏觀/微觀檢查12.4.1 宏觀檢查12.4.2 宏觀/微觀檢查設(shè)備工作原理12.5 自動外觀檢查裝置12.6 激光修復(fù)和激光CVD裝置12.7 陣列測試檢查裝置12.8 斷路和短路電氣檢查裝置12.9 附錄 TN 4 Mask產(chǎn)品圖案檢查操作規(guī)格書第十三章 TFT制造工藝小結(jié)與技術(shù)展望13.1 TFT陣列制造工藝小結(jié)13.2 TFT平板顯示技術(shù)展望參考文獻(xiàn)

編輯推薦

　　《薄膜晶體管（TFT）陣列制造技術(shù)》可作為平板顯示行業(yè)工程師、技術(shù)人員、管理人員的培訓(xùn)教材，也可供高等院校相關(guān)專業(yè)方向研究人員、研究生以及相關(guān)行業(yè)從業(yè)人員參考。

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