用于惡劣環(huán)境的碳化硅微機電系統(tǒng)

前言

　　首先，我要感謝所有對本書作出貢獻的專家。沒有他們，就不可能有本書。我也要向蘇格蘭微電子中心的同行表示最深切的感謝，他們用多種方法為本書第1章描述的科學和技術作出了貢獻。編寫這樣一本關于SiC MEMS手稿的目的是把最新的信息濃縮成易于被學術界和商業(yè)公司接受的書的形式。本書總結了與惡劣環(huán)境應用SiC MEMS相關的高質量信息，供從事此領域及相關研究的學生、學者和科研人員使用。我也希望本書能夠對整個MEMS領域的發(fā)展貢獻力量?！　EMS是微小尺度的機械器件／傳感器，其有非常廣泛的應用，如小型化的加速度傳感器和壓力傳感器、模仿蟋蟀纖毛的風速傳感器、用于生物醫(yī)學的微流體泵等。與SiC相比，SiC的主要優(yōu)點自然是材料的機械和化學穩(wěn)定性。一旦這些材料性能在高溫和惡劣環(huán)境等應用中體現出來，就將對科學和工程的促進產生推動，導致最終產品的出現。本書闡述從SiC材料的發(fā)明到最終應用到MEMS中整個過程中相關的科學和技術?！　”緯謩e在SiC加工、生長、接觸和腐蝕等技術和工藝現狀方面做了精彩闡述，并在最后一章論述了SiC MEMS的應用。

內容概要

　　碳化硅以其優(yōu)異的溫度特性、電遷移特性、機械特性等，越來越被微電子和微機電系統(tǒng)研究領域所關注，不斷有新的研究群體介入這一材料及其應用的研究?！队糜趷毫迎h(huán)境的碳化硅微機電系統(tǒng)》是目前譯者見到的唯一一本系統(tǒng)論述碳化硅微機電系統(tǒng)的著作，作者是來自英國、美國從事碳化硅微機電系統(tǒng)研究的幾位學者，他們系統(tǒng)綜述了碳化硅生長、加工、接觸、腐蝕和應用等環(huán)節(jié)的技術和現狀，匯聚了作者大量的經驗和智慧?！　　队糜趷毫迎h(huán)境的碳化硅微機電系統(tǒng)》可供從事微電子、微機械研究的科研人員參考閱讀，也可以作為研究生專業(yè)課程教材或參考書目。

書籍目錄

譯者序前言第1章 SiCMEMS概述　1.簡介　2.SiC材料性能　3.制作微機電(MEM)器件　4.表面改性　5.SiCMEMS的頻率調諧　6.MEMS的機械測試　7.應用舉例　8.小結　參考文獻第2章 SiCMEMS沉積技術　1.概述　2.與SiC沉積相關的問題　3.APCVD　4.PE(2VD　5.LPCVD　6.LPCⅧSiC薄膜的摻雜　7.其他沉積方法　8.小結　參考文獻第3章 與SiC接觸開發(fā)相關的問題綜述　1.概述　2.熱穩(wěn)定性　3.p型SiC的歐姆接觸　4.使用Ni的歐姆接觸　5.肖特基接觸缺陷的影響　6.小結　參考文獻第4章 SiC的干法刻蝕　1.概述　2.等離子刻蝕基礎　3.SiC的等離子刻蝕　4.等離子體化學　5.掩膜材料　6.近期發(fā)展及未來展望　7.小結　參考文獻第5章 SiCMEMS的設計、性能和應用　1.概述　2.SiCMEMS器件　3.結論和展望參考文獻附錄

章節(jié)摘錄

　　由于SiC的特性，所以，SiC是一種比多晶Si更難合成的材料。SiC的形成需要在合適的熱學、化學條件下，Si原子和C原子發(fā)生反應才能得到。形成化學意義上的SiC薄膜一般需要高于700℃的溫度，而多晶SiC則需要更高的溫度（大于800℃）。SiC和SiC最普通的MEMS基底）之間晶格和熱性質的不一致會導致SiC薄膜里的殘余應力。對微結構來說，SiC在高溫下是熱力學穩(wěn)定的，因而限制了退火這種減小無定形SiC薄膜應力技術的應用。由于幾乎所有元素在SiC里的擴散系數是極其低的，使得固態(tài)源擴散成為一種不實用的摻雜技術，只剩下離子注入和原位摻雜成為可行的選擇。然而，對Si晶片上的SiC薄膜，離子注人也是很有挑戰(zhàn)性的，這是因為工藝中最有效的注入和退火溫度接近了基底的熔點。

圖書封面

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