模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

　　本書(shū)是教材《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)》(清華大學(xué)電子學(xué)教研組編寫(xiě)，童詩(shī)白、華成英主編)的配套習(xí)題全程輔導(dǎo)用書(shū)。全書(shū)按教材內(nèi)容，針對(duì)各章節(jié)全部習(xí)題給出詳細(xì)解答，思路清晰、邏輯性強(qiáng)，循序漸進(jìn)地幫助讀者分析并解決問(wèn)題。本書(shū)共11章，具體內(nèi)容包括：常用半導(dǎo)體器件、基本放大電路、多級(jí)放大電路、集成運(yùn)算放大電路、放大器的頻率響應(yīng)、放大電路中的反饋、信號(hào)的運(yùn)算和處理、波形的發(fā)生和信號(hào)轉(zhuǎn)換、功率放大電路、直流電源、模擬電子電路讀圖。每章內(nèi)容都包括：重點(diǎn)內(nèi)容提要、教材同步習(xí)題全解、自測(cè)題、習(xí)題、典型提高題。本書(shū)可作為在校大學(xué)生和自考生學(xué)習(xí)“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程的教學(xué)輔導(dǎo)材料和復(fù)習(xí)參考用書(shū)及工科考研強(qiáng)化復(fù)習(xí)的指導(dǎo)書(shū)，也可作為教師的教學(xué)參考書(shū)。

書(shū)籍目錄

前言
第一章常用半導(dǎo)體器件
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第二章基本放大電路
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第三章多級(jí)放大電路
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第四章集成運(yùn)算放大電路
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第五章放大器的頻率響應(yīng)
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第六章放大電路中的反饋
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第七章信號(hào)的運(yùn)算和處理
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第八章波形的發(fā)生和信號(hào)轉(zhuǎn)換
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第九章功率放大電路
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第十章直流電源
重點(diǎn)內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評(píng)析
教材同步習(xí)題全解
自測(cè)題
習(xí)題
第十一章模擬電子電路讀圖
重點(diǎn)內(nèi)容提要
教材同步習(xí)題全解
習(xí)題

章節(jié)摘錄

　　第一章　常用半導(dǎo)體器件　　重點(diǎn)內(nèi)容提要　　1.1　半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)　　本征半導(dǎo)體　　本征半導(dǎo)體就是完全純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。　　載流子：電子帶負(fù)電，空穴帶正電，在外電場(chǎng)作用下自由電子移動(dòng)，相鄰的價(jià)電子填補(bǔ)空穴而形成空穴移動(dòng)，它們都能導(dǎo)電?！　”菊骷ぐl(fā)產(chǎn)生的自由電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)，數(shù)量取決于環(huán)境溫度高低?！　‰s質(zhì)半導(dǎo)體——P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體　?。?）P型半導(dǎo)體：在純凈半導(dǎo)體中摻入適量三價(jià)元素，形成空穴型（P型）半導(dǎo)體。它的導(dǎo)電能力大大高于本征半導(dǎo)體。其中空穴為多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱“多子”），自由電子為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱“少子”）?！　。?）N型半導(dǎo)體：在純凈半導(dǎo)體中摻入適量五價(jià)元素，形成自由電子型（N型）半導(dǎo)體。其中自由電子為“多子”，空穴為“少子”?！　≡趦煞N雜質(zhì)半導(dǎo)體中，整體上電量平衡，對(duì)外不顯電性（不帶靜電）?！　N結(jié)　　又稱耗盡層，阻擋層，將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體結(jié)合在一起，由于界面兩側(cè)載流子濃度不同而產(chǎn)生載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。P型區(qū)空穴向N型區(qū)擴(kuò)散，N型區(qū)自由電子向P型區(qū)擴(kuò)散。在邊界兩側(cè)兩種載流子產(chǎn)生復(fù)合，形成帶正電和負(fù)電的離子。在邊界兩側(cè)形成空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)?！　。?）區(qū)內(nèi)正、負(fù)離子帶電而不能移動(dòng)，載流子因復(fù)合而數(shù)量很少，因此電阻率很高。　?。?）正、負(fù)離子形成的內(nèi)電場(chǎng)阻止多子繼續(xù)擴(kuò)散。　　（3）內(nèi)電場(chǎng)對(duì)少子有吸引作用，形成少子的逆向運(yùn)動(dòng)，稱為漂移?！　。?）在沒(méi)有外電場(chǎng)作用時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，兩側(cè)間沒(méi)有電流，空間電荷區(qū)厚度不變?！　。?）PN結(jié)正向?qū)?，反向截止，即為單向?qū)щ娦??！　?hellip;…

編輯推薦

　　知識(shí)點(diǎn)竅，邏輯推理，習(xí)題全解，全真考題，名師執(zhí)筆，題型歸類(lèi)。

圖書(shū)封面

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) PDF格式下載

---